新しい及び元の二重1.5Aピークの低側のMOSFETの運転者MIC4426BN

MIC4426/4427/4428

二重1.5Aピークの低側のMOSFETの運転者

概説

MIC4426/4427/4428家族は低い電力の消費および高性能のためのBiCMOS/DMOSプロセスで製造される信頼性が高い二重lowside MOSFETの運転者である。これらの運転者はTTLを翻訳するまたはCMOSは肯定的な供給または地面の25mVの内で振る電圧レベルを出力するために論理のレベルを入れた。対等なバイポーラ装置は供給の1Vの内でにだけ振れることができる。MIC4426/7/8は3つの構成で利用できる:二重に逆になること、二重にnoninverting、および1のnoninverting出力と逆になる1。MIC4426/4427/4428は改善された電気性能および険しい設計のMIC426/427/428そしてMIC1426/1427/1428のためのピン互換性がある取り替えである（次のページの装置取り替えのリストを参照しなさい）。それらは掛け金を降ろさないで逆の流れ（極性）の500mA抗してもいいと地上ピンの5V騒音スパイク（どちらかの極性）まで。

運転力のMOSFETsのために主に意図されていて、MIC4426/7/8運転者はlow-impedance、最も高いピークの流れおよび速い転換の時間を要求する他の負荷（容量性、抵抗かまたは誘導）を運転するために適している。他の適用は重く付時計ライン、同軸ケーブル、または圧電気のトランスデューサーを運転することを含んでいる。唯一の負荷限定は総運転者の電力損失がパッケージの限界を超過してはならないことである。

特徴

•Bipolar/CMOS/DMOSの構造

•>500mAの逆の流れへのLatch-upの保護

•1.5Aピークの出力電流

•18V動作範囲への4.5V

•低い静止供給の流れ

論理の4mA 1つの入力

論理の400µA 0の入力

•25nsのスイッチ1000pF

•一致させた上昇およびrallの時間

•7Ω出力インピーダンス

• < 40ns="" typical="" delay="">

•供給電圧の論理入力境界の独立者

•– 5Vへの論理入力保護

•6pF典型的な同等の入力キャパシタンス

•最高25mV。供給か地面から相殺される出力

•MIC426/427/428およびMIC1426/1427/1428を取り替える

•二重に逆になること、二重にnoninverting、およびnoninverting構成を逆にすること

•ESDの保護

適用

•MOSFETの運転者

•時計のライン・ドライバ

•同軸ケーブルの運転者

•Piezoelecticのトランスデューサーの運転者

機能図

Pin構成

Pinの記述

絶対最高評価（ノート1）

供給電圧（対） .................................................... +22V

入れられた電圧（VIN） .........................対+ 0.3VへのGND – 5V

接合部温度（TJ） ........................................ 150°C

保管温度............................... – 65°Cへの+150°C

鉛の温度（10秒。） ......................................300°C

ESDの評価、ノート3

作動の評価（ノート2）

供給電圧（対） ..................................... +4.5Vへの+18V

温度較差（TA）

（a） ........................................................ – 55°Cへの+125°C

（b） .......................................................... – 40°Cへの+85°C

パッケージの熱抵抗

PDIPのθJA ............................................................ 130°C/W

PDIPのθJC ............................................................. 42°C/W

SOICのθJA ........................................................... 120°C/W

SOICのθJC ............................................................. 75°C/W

MSOPのθJC ......................................................... 250°C/W

テスト回路

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