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MIC4426/4427/4428
二重1.5Aピークの低側のMOSFETの運転者
概説
MIC4426/4427/4428家族は低い電力の消費および高性能のためのBiCMOS/DMOSプロセスで製造される信頼性が高い二重lowside MOSFETの運転者である。これらの運転者はTTLを翻訳するまたはCMOSは肯定的な供給または地面の25mVの内で振る電圧レベルを出力するために論理のレベルを入れた。対等なバイポーラ装置は供給の1Vの内でにだけ振れることができる。MIC4426/7/8は3つの構成で利用できる:二重に逆になること、二重にnoninverting、および1のnoninverting出力と逆になる1。MIC4426/4427/4428は改善された電気性能および険しい設計のMIC426/427/428そしてMIC1426/1427/1428のためのピン互換性がある取り替えである（次のページの装置取り替えのリストを参照しなさい）。それらは掛け金を降ろさないで逆の流れ（極性）の500mA抗してもいいと地上ピンの5V騒音スパイク（どちらかの極性）まで。
運転力のMOSFETsのために主に意図されていて、MIC4426/7/8運転者はlow-impedance、最も高いピークの流れおよび速い転換の時間を要求する他の負荷（容量性、抵抗かまたは誘導）を運転するために適している。他の適用は重く付時計ライン、同軸ケーブル、または圧電気のトランスデューサーを運転することを含んでいる。唯一の負荷限定は総運転者の電力損失がパッケージの限界を超過してはならないことである。
特徴
•Bipolar/CMOS/DMOSの構造
•>500mAの逆の流れへのLatch-upの保護
•1.5Aピークの出力電流
•18V動作範囲への4.5V
•低い静止供給の流れ
論理の4mA 1つの入力
論理の400µA 0の入力
•25nsのスイッチ1000pF
•一致させた上昇およびrallの時間
•7Ω出力インピーダンス
• < 40ns="" typical="" delay="">
•供給電圧の論理入力境界の独立者
•– 5Vへの論理入力保護
•6pF典型的な同等の入力キャパシタンス
•最高25mV。供給か地面から相殺される出力
•MIC426/427/428およびMIC1426/1427/1428を取り替える
•二重に逆になること、二重にnoninverting、およびnoninverting構成を逆にすること
•ESDの保護
適用
•MOSFETの運転者
•時計のライン・ドライバ
•同軸ケーブルの運転者
•Piezoelecticのトランスデューサーの運転者
機能図
Pin構成
Pinの記述
| ピン ナンバー | Pin名前 | Pin機能 |
| 1,8 | NC | 内部的に接続されない |
| 2 | INA | Aを操作量:TTL/CMOSの多用性がある論理の入力。 |
| 3 | GND | 地面 |
| 4 | INB | Bを操作量:TTL/CMOSの多用性がある論理の入力。 |
| 5 | OUTB | 出力B:CMOSのトーテムポールの出力。 |
| 6 | 対 | 供給の入力:+4.5Vへの+18V |
| 7 | OUTA | 出力A:CMOSのトーテムポールの出力。 |
絶対最高評価（ノート1）
供給電圧（対） .................................................... +22V
入れられた電圧（VIN） .........................対+ 0.3VへのGND – 5V
接合部温度（TJ） ........................................ 150°C
保管温度............................... – 65°Cへの+150°C
鉛の温度（10秒。） ......................................300°C
ESDの評価、ノート3
作動の評価（ノート2）
供給電圧（対） ..................................... +4.5Vへの+18V
温度較差（TA）
（a） ........................................................ – 55°Cへの+125°C
（b） .......................................................... – 40°Cへの+85°C
パッケージの熱抵抗
PDIPのθJA ............................................................ 130°C/W
PDIPのθJC ............................................................. 42°C/W
SOICのθJA ........................................................... 120°C/W
SOICのθJC ............................................................. 75°C/W
MSOPのθJC ......................................................... 250°C/W
テスト回路