論理レベル モスフェット

高い発電MOSFET NVMFS4C03Nの単一のN-Channel力の論理のレベルMOSFET 30V 159A 1.7mΩ [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のため.........

CSD18534Q5A Mosfet力トランジスターMOSFET 60V N CH NexFET Pwr MOSFET 1特徴 超低いQgおよびQgd 低い熱抵抗 評価されるなだれ 論理のレベル Pbの......

FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET 概説 これらはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な切換えの性能を維持するために作り出されます進められたPowerTrenchプロセ.........

強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F 論理の水平なトランジスター記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計さ......

IRLML5103TRPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の低電圧単一Nチャネルの論理のレベルのゲートFET IRLML5103TRPBF MOSFETのN-Channel 20V 4.2A （Tc）の25W （Tc）表面の台紙PowerPAK 1212-8.........

TXB0108PWR TSSOP-20 TXB0108 TSSOP YE08 TXS0108E 8チャネルの論理のレベル変換装置 モジュールTTLの二方向の相互改宗者 特徴 •1.2 Vから港の3.6ボルトおよび1.65ボルトからBの港（VCCAの≤ VCCB）の5.5ボルト •V.........

IPP65R110CFDAのN-Channel 650 V 31.2A （穴PG-TO220-3を通したTc） 277.8W （Tc） 特徴:IPP65R110CFDA 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ シリーズ 、AEC-Q101、CoolMOS自動車 ......

DIY 4チャネルIIC I2Cの論理のレベル変換装置の二方向モジュールをカスタマイズしなさい 記述 サイズ/次元:16.05*13.33mm 電源::5V-3V 適用:電子diyプロジェク.........

NDT3055Lのonsemi/フェアチャイルドのトランジスター- N-Channel、論理のレベル、EnhancementMode分野効果 1.General記述この論理のレベルのN−Channelの強化モード力分野のeffecttransistorは、高い細胞密度専有、onsemi DM.........

電源モジュラーUPSシステム3PH/4W 3レベルにMOSFETインバーター技術トンネルを掘って下さい CNM330シリーズは敏感な装置のためのモジュラー オンラインUPSです。10KVAからの信頼性、ホットスワップ対応および柔軟性の組合せのベストを提供する300KVAへの単一のキャビネットの電........

SN74LV1T126DBVR IC エレクトロニックコンポーネント CMOS論理レベル変換器 製品説明 格付け値を超えた −40°Cから+105°Cの温度 部品番号SN74LV1T126DBVR製造されたものTI電子製品の主要販売業者の一つとして,私たちは世界のトップメーカーから多.........

TXB0108PWR ICの訳者BIDIR 20TSSOPテキサス・インスツルメント プロダクト細部 記述 このnoninverting 8ビット訳者は2つの構成可能力の柵をそれぞれ特色にする。Aの港の目的はVCCAを監視することである。1.2のそして3.6ボルト間のどの源.........

シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている: 半導体マイクロコントローラートランジスタダイオード.......

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NPNへのNPNのコンバーターへのPNPそしてPNPは1つのモジュールに、2つの選択組み込まれている。 NPNにPNPかNPNの関係にPNPを選ぶことができる。 出力のためのLEDの表示器 コンバーターはいろいろな種類の低電圧センサーによって使用することができる 働く電源電圧:2.........

RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohmの論理のレベルのN-Channel力のMosfets TO-252AAの表面の台紙 導入: RFD14N05LSMは14 A、50ボルト、0.1 Ω、N-Channelの論理のレベル力Mosfetである。 それは-55 °Cから.........

LMG1025QDEETQ1 高周波および狭いパルスアプリケーションのための自動車低サイドガンおよびMOSFETドライバー LMG1025QDEETQ1の製品説明 LMG1025QDEETQ1は,高スイッチング周波数自動車アプリケーションのための単チャンネル低側強化モードGaN FETと論理レ.........