FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET

型式番号:FDS6990A
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:7000PCS
受渡し時間:1 日
企業との接触

Add to Cart

サイト会員
Shenzhen Guangdong China
住所: B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 25 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET

 

概説

これらはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な切換えの性能を維持するために作り出されます進められたPowerTrenchプロセスを使用してNチャネルの論理のレベルのMOSFETs。

 

これらの装置は低電圧および低いインライン電源切れおよび速い切換えが要求される電池式の適用のためにうってつけです。

 

特徴

·7.5 A、30 V.RDS() = 18 MW @ VGS = 10ボルト

                       RDS() = 23 MW @ VGS = 4.5ボルト

·速い切り替え速度

·低いゲート充満

·極端に低いRDSのための高性能の堀の技術()

·高い発電および現在の処理の機能

 

通知がなければ絶対最高評価TA =25℃

記号変数評価単位
VDSS下水管源の電圧30V
VGSSゲート源の電圧± 20V
ID

連続的な下水管の流れ– (ノート1a)

–脈打つ

7.5A
20
PD

半二重操作(ノート1a)のための電力損失

                                                               (ノート1b)

                                                               (ノート1c)

1.6W
1.0
0.9
TJ、TSTG操作および貯蔵の接合部温度の範囲– 55から+150

 

 

 

 

 

 

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。ブランドD/Cパッケージ

 

G5V-1-DC96255OMRON15+すくい
G5V-2-12VDC7727OMRON14+すくい
G60N100BNTD3498フェアチャイルド13+TO-264
G65SC51P-26939CMD16+DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC10509OMRON13+SOP-8
GAL16V8D-25LP5311格子16+DIP-20
GBL08-E3/5113704VISHAY14+DIP-4
GBPC3508W-E4/518669VISHAY16+DIP-4
GBU408900009月13+ZIP-4
GBU6K14556LRC13+SIP-4
GBU8M17593VISHAY15+DIP-4
GE865-QUAD1285TELIT14+GPRS
GIPS20K602254ST13+モジュール
GL34A4000DIOTEC13+DO-213AA
GL41D20000GS13+LL41
GL852G-MNG127574GENESYS15+LQFP-48
GL865は二倍になります1174TELIT10+GPRS
GLL4760-E3/9724000VISHAY10+NA
GP1S094HCZ0F5752鋭い13+DIP-4
GS2978-CNE32125GENNUM15+QFN16
GS2984-INE31336GENNUM13+QFN
GS2988-INE36693GENNUM16+QFN16
GS3137-08-TAZ2008年コネクサント09+TSSOP
GSIB2580-E3/454938VISHAY16+GSIB-5S
GSOT03C-GS087000VISHAY15+SOT-23
GVA-63+8824小型15+SOT-23
GVA-84+4397小型14+SOT-89
H11AA1SR2M14966フェアチャイルド14+SOP-6
H11AA415037フェアチャイルド14+すくい
H11AG1SR2M4006フェアチャイルド14+SOP-6

 

 

 

China FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET supplier

FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET

お問い合わせカート 0