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ICのダイオードのトランジスター

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRLML5103TRPBF MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能の低電圧単一Nチャネルの論理のレベルのゲートFET

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型式番号 :IRLML5103TRPBF

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1-3幾日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :30ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :760mA （Ta）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :4.5V、10V

（最高） @ ID、VgsのRds :600mOhm @ 600mA、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :1V @ 250µA

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :5.1 NC @ 10ボルト

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IRLML5103TRPBF MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能の低電圧単一Nチャネルの論理のレベルのゲートFET

IRLML5103TRPBF MOSFETのN-Channel 20V 4.2A （Tc）の25W （Tc）表面の台紙PowerPAK 1212-8

製品の説明:

このIRLML5103TRPBF MOSFETはPowerPAK 1212-8のパッケージのN-channelの強化モード力のfield-effectのトランジスターである。それに20Vの下水管源の電圧評価、±20Vのゲート源の電圧評価、および4.2A （Tc）の下水管の現在の評価がある。それはまた25W （Tc）の最高の電力損失を特色にする。このMOSFETはDC-DCのコンバーター、デジタル論理、運動制御および他の一般目的の適用の使用のために設計されている。それは優秀な熱性能を提供し、高周波転換の適用のために適している。

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