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NDT3055Lのonsemi/フェアチャイルドのトランジスター- N-Channel、論理のレベル、EnhancementMode分野効果
1.General記述
この論理のレベルのN−Channelの強化モード力分野のeffecttransistorは、高い細胞密度専有、onsemi DMOSの技術を使用して作り出される。この非常に高密度プロセスはon−stateの抵抗を最小にし、superiorswitching性能を提供するためにespeciallytailored theavalancheおよび代わりモードの高エネルギーの脈拍に抗する。この装置はDCの速い切換え、低いin−lineの電源切れ、トランジェントへのandresistanceが必要の運動制御およびDC/DCconversionのような特にsuitedforの低電圧の適用である
2.Features
•4 A、60ボルト* RDS （） = 0.100 W @ VGS = 10ボルト
* RDS （） = 0.120 W @ VGS = 4.5ボルト
•低いドライブ条件LogicDriversからの操作を直接許可する。VGS （TH） < 2V="">
•極端に低いRDSのための高密度細胞の設計（）。
•広くUsedSurfaceの台紙のパッケージの高い発電そして現在の処理の機能。
•これはPb−Free装置である
