NDT3055Lのonsemi/フェアチャイルドのトランジスター- N-Channel、論理のレベル、EnhancementMode分野効果
型式番号:NDT3055L
原産地:Chian
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:20000pcs/week
受渡し時間:2-3日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
3418、DuhuixuanのShennanの道、福田区、シンセン、広東省、中国
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内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
NDT3055Lのonsemi/フェアチャイルドのトランジスター- N-Channel、論理のレベル、EnhancementMode分野効果
1.General記述
この論理のレベルのN−Channelの強化モード力分野のeffecttransistorは、高い細胞密度専有、onsemi
DMOSの技術を使用して作り出される。この非常に高密度プロセスはon−stateの抵抗を最小にし、superiorswitching性能を提供するためにespeciallytailored
theavalancheおよび代わりモードの高エネルギーの脈拍に抗する。この装置はDCの速い切換え、低いin−lineの電源切れ、トランジェントへのandresistanceが必要の運動制御およびDC/DCconversionのような特にsuitedforの低電圧の適用である
2.Features
•4 A、60ボルト* RDS （） = 0.100 W @ VGS = 10ボルト
* RDS （） = 0.120 W @ VGS = 4.5ボルト
•低いドライブ条件LogicDriversからの操作を直接許可する。VGS （TH） < 2V="">
•極端に低いRDSのための高密度細胞の設計（）。
•広くUsedSurfaceの台紙のパッケージの高い発電そして現在の処理の機能。
•これはPb−Free装置である
NDT3055Lのonsemi/フェアチャイルドのトランジスター- N-Channel、論理のレベル、EnhancementMode分野効果
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