インフィネオンモスフェット

INFINEON チップ IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース.........

Infineon MOSFET N CH 800V 4A TO220FP-3 CoolMOS C3のCoolMOS™ C3のための取り替えはCoolMOS™ P7 800V CoolMOS™ C3であるInfineonの第3一連の2001年に市場参入とのCoolMOS™である。C3は"である;働......

IPP65R190CFD7XKSA1 インフィニオンモスフェット 高功率 NEW TO-220-3 IPP65R190CFD7 IPP65R190CFD メーカー:インフィニオン製品カテゴリ:MOSFETテクノロジー: Si設置スタイル: 穴を通るパッケージ/箱:TO-220-3トランジ.........

IRLML6401TRPBF Infineon TRANS MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/Rプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99 部分の状態......

IR2110SPBFの破片の集積回路IC chipscomponent Infineon MOSFET 製品の説明 部品番号# IR2110SPBFはIRの技術によって製造され、Jalixinによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多く......

インフィニオン IPD530N15N3GATMA1 MOSFET パワー エレクトロニクス 製品説明： Infineon IPD530N15N3GATMA1 は、パワー エレクトロニクス アプリケーションで優れた性能を提供するように設計された高性能パワー MOSF.........

製品の説明 Infineon HEXFET力MOSFET Nチャネル55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBFインフィニオン・テクノロジーズ/国際的な整流器IOR HEXFET MOSFETのN-Channel 55V 30A DPAKの分離した半導.........

インフィニオン IRFP4668PBF Nチャネル MOSFET - 高性能・効率性 インフィニオン IRFP4668PBFは,さまざまなアプリケーションで優れたパフォーマンスと効率を提供するために設計された高性能NチャネルMOSFETです.これはHEXFET®シリーズに属し,回路設計で単一のFET......

BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 オプティモス 3M 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース:.........

07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 InfineonのOptiMOS力MOSFETのN-Channel 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC 記述: Infineonの100V OptiMOS™力のMOSFETsは高性能、高いパワー密度SMPSのための.........

Infineon Pnp力トランジスターIRF9530PBF -100V -14A 200 MOhms 1つのP-Channel 38.7 NC 適用 高められた険しさ 配分パートナーからの広い供給 業界標準の資格 低頻度の適用の高性能 標準的なピンはdrop-inの取り替えを可能に.........

製品範囲 IPB017N10N5 Infineonの電界効果トランジスタの半導体はMosfetのトランジスターに動力を与える MOSFETのN-channel 600 Vの0.175オームのタイプ18 D2PAKのパッケージのMDmesh DM2力MOSFET Appの特徴 .........

新しい元のIR2104STRPBF SOIC-8の操業停止機能600V半分橋ゲートの運転者ICの破片の集積回路 IR2104STRPBF IR2104STRPBFは依存した最高および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧高速力MOSFETおよびIGBT半橋運転者である。専有HVICは免......

プロダクト細部 製造業者インフィニオン・テクノロジーズシリーズCoolMOS™包装管部分の状態ない新しい設計のためにFETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）600V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C20.7A （Tc）ドライブ電圧（......

離散半導体 IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 MOSFET 製品説明: MOSFETOptiMOSTM5 パワートランジスタ,100V 特徴: •高周波スイッチとシンクレスの理想•Nチャンネル,通常のレベル•FOMOSS に最適化•RDS (オン)•175° 協力温度•Pbフリ......

私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用するために喜ぶ。ありがとう! 部門 分離した半導体製品のトランジスターFET、MOSFET単一FET、MOSFET.........

RFR4105ZTRPBF Mosfetの運転者IC NチャネルFETのタイプ55V 30A DPAK RFR4105ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 部門 分離...

IMZ120R090M1HのN-Channel 1200 V 26A （穴PG-TO247-4-1を通したTc） 115W （Tc） 特徴:IMZ120R090M1H 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ シリーズ CoolSiC パッケージ 管 プロダクト状......

インフィニオン・テクノロジーズIRF540NPBF TO-220 NチャネルTO-220のMOSFETs 特別な分離した半導体製品の特徴: •精密内部発振器: - ±1%に目盛りが付いている工場典型的 - ソフトウェア8つのMHzから125のkHzの選択可能な周波数範囲 - 調整可.........

トランジスターMOSFET Nチャネル162A 40V 4MOHM MOSの管IRF1404PBF プロダクト 記述: 1. INFINEON IRF1404PBFのトランジスター、MOSFETのNチャネル、162 A、40ボルト、4 MoHM、10ボルト、4ボルト2。パッケージに220一般にそ........