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07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 InfineonのOptiMOS力MOSFETのN-Channel 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC
記述:
Infineonの100V OptiMOS™力のMOSFETsは高性能、高いパワー密度SMPSのための優秀な解決を提供する。
次の最もよい技術と比較されてこの家族は両方のR DS （）およびFOM （性能指数）の30%の減少を達成する。
潜在的な適用:
AC-DC SMPSのための同期改正
48V-80Vシステムのための運動制御（すなわち国内車、パワー用具、トラック）
隔離されたDC-DCのコンバーター（電気通信およびデータ通信 システム
48VシステムのOリングのスイッチそして遮断器
クラスDのオーディオ・アンプ
Uninterruptable電源（UPS）
特徴の概要:
優秀な転換の性能
世界で最も低いR DS （）
まさに低いQ gおよびQのgd
優秀なゲート充満X R DS （）プロダクト（FOM）
自由なRoHS迎合的ハロゲン
MSL1は2つを評価した
利点
環境に優しい
高められた効率
高い発電密度
必要なより少ない平行になること
最も小さい板スペース消費
容易に設計プロダクト
指定:
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部門
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単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
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Mfr
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インフィニオン・テクノロジーズ
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シリーズ
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OptiMOS™
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パッケージ
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テープ及び巻き枠（TR）
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部分の状態
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活動的
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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100ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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90A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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7mOhm @ 50A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3.5V @ 75µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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55 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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4000 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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114W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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PG-TDSON-8-1
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パッケージ/場合
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8-PowerTDFN
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基礎プロダクト数
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BSC070
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| Parametrics | BSC070N10NS3G |
| Ciss | 3000 pF |
| Coss | 520 pF |
| ID （@25°C）最高 | 90 A |
| 最高IDpuls | 360 A |
| 最高実用温度分 | -55 °C 150の°C |
| 最高Ptot | 114 W |
| パッケージ | SuperSO8 5x6 |
| 極性 | N |
| QG （タイプ@10V） | 42 NC |
| 最高RDS （） （@10V） | 7 mΩ |
| Rth | 1.1 K/W |
| 最高VDS | 100ボルト |
| 最高VGS （Th）分 | 2.7 V 2 V 3.5 V |
