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07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 InfineonのOptiMOS力MOSFETのN-Channel 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC
記述:
Infineonの100V OptiMOS™力のMOSFETsは高性能、高いパワー密度SMPSのための優秀な解決を提供する。
次の最もよい技術と比較されてこの家族は両方のR DS ()およびFOM (性能指数)の30%の減少を達成する。
潜在的な適用:
AC-DC SMPSのための同期改正
48V-80Vシステムのための運動制御(すなわち国内車、パワー用具、トラック)
隔離されたDC-DCのコンバーター(電気通信およびデータ通信 システム
48VシステムのOリングのスイッチそして遮断器
クラスDのオーディオ・アンプ
Uninterruptable電源(UPS)
特徴の概要:
優秀な転換の性能
世界で最も低いR DS ()
まさに低いQ gおよびQのgd
優秀なゲート充満X R DS ()プロダクト(FOM)
自由なRoHS迎合的ハロゲン
MSL1は2つを評価した
利点
環境に優しい
高められた効率
高い発電密度
必要なより少ない平行になること
最も小さい板スペース消費
容易に設計プロダクト
指定:
部門 | |
単一トランジスター- FETs、MOSFETs - | |
Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
シリーズ | OptiMOS™ |
パッケージ | テープ及び巻き枠(TR) |
部分の状態 | 活動的 |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 100ボルト |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 90A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 6V、10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 7mOhm @ 50A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 3.5V @ 75µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 55 NC @ 10ボルト |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 4000 pF @ 50ボルト |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 114W (Tc) |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | PG-TDSON-8-1 |
パッケージ/場合 | 8-PowerTDFN |
基礎プロダクト数 | BSC070 |
Parametrics | BSC070N10NS3G |
Ciss | 3000 pF |
Coss | 520 pF |
ID (@25°C)最高 | 90 A |
最高IDpuls | 360 A |
最高実用温度分 | -55 °C 150の°C |
最高Ptot | 114 W |
パッケージ | SuperSO8 5x6 |
極性 | N |
QG (タイプ@10V) | 42 NC |
最高RDS () (@10V) | 7 mΩ |
Rth | 1.1 K/W |
最高VDS | 100ボルト |
最高VGS (Th)分 | 2.7 V 2 V 3.5 V |