トランジスター20N60COSFET IC 20N60C3トランジスターSPP20N60C3 TO-220 20A 650V N-channel力MOSFETのトランジスター
原産地:米国
型式番号:SPP20N60C3
パッケージのタイプ:穴中
タイプ:三極管のトランジスター
包装:管
無鉛状態/RoHSの状態:迎合的な無鉛/RoHS
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確認済みサプライヤー
Shenzhen
住所：
Rm18 BのブロックAのDuhui100 Zhonghangの道、福田区、シンセン中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
プロダクト細部
| 製造業者 | インフィニオン・テクノロジーズ |
|---|---|
| シリーズ | CoolMOS™ |
| 包装 | 管 |
| 部分の状態 | ない新しい設計のために |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 600V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 20.7A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 190mOhm @ 13.1A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.9V @ 1mA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 2400pF @ 25V |
| 電力損失（最高） | 208W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 穴を通して |
| 製造者装置パッケージ | PG-TO220-3-1 |
| パッケージ/場合 | TO-220-3 |
トランジスター20N60COSFET IC 20N60C3トランジスターSPP20N60C3 TO-220 20A 650V N-channel力MOSFETのトランジスター
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