ワッフル

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（20-2-1）支えがないガリウム窒化物（GaN）のウエファーPAM-XIAMENがUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立したSiGaNを平にしなさい。水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）の技術によって育てられて......

HT-BGWのガリウム砒素のGaNのウエファーの高性能のためのガラス粉砕車輪 Hongtuoは、主要なデザイナーのような、ダイヤモンドおよびCBNの粉砕車輪の製造業者そしてディストリビューター、背部粉砕車輪の優秀な選択を提供できます。この特定の粉砕用具は2つのタイプ入って来ます:シリコンの薄.........

ZnOのウエファー、CDのウエファー、CdSeのウエファー、CdTeのウエファー、ZnSのウエファー、ZnSeのウエファーおよびZnTeのウエファー 私達は力装置、LED、センサーおよび探知器の塗布に高い純度の単結晶ZnOのウエファーおよびZnOの大きさを提供する。理想的な結晶構造によって、ZnOの......

ZnO結晶基板は,GaN (青いLED) エピタキシアル基板のブロードバンド接続装置および他の分野で使用されます. 亜鉛酸化物 (ZnO) の結晶基板は,GaN (青いLED) の表軸基板,ブロードバンド接続装置,その他の分野で使用されている.亜鉛酸化物単結晶は,室温で60mevのエキソン結合エネル......

大幅な直接帯域差 (3.4 eV),強い原子結合,高熱伝導性,優れた放射線抵抗性により,GaNは短波長光電子材料だけでなく,高温半導体装置の代替材料でもあります安定した物理的および化学的性質に基づいて,GaNはLEDアプリケーション (青,緑,UV光),紫外線検出器および高電力および高周波の光電子機......

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サファイアのウエファー（GaN）のガリウム窒化物 私達は複数の方法を使用してであるサファイアのウエファー育つ Czrochroski （CZ）プロセスはc軸線のサファイアの基質の生産のためにより有効であると知られている。 熱交換器方法（ヘム容積のサファイア ガラスを育てるのに使.........

エッチングトレイ 半導体消耗品 主要な特徴 高純度シリコンカービッドセラミクで圧力をかけずに作られています.高硬さ,耐腐蝕性,耐磨性,長寿命,高精度で良いエッチングの均一性. 適用する LEDウエファーチップ,半導体拡散のための精密セラミックパーツ,半導体ウエファーのためのMOCVDエピタキ.........