自由で永続的なGaNの基質HVPE GaNのウエファーは装置GaNサファイアGaN SiCを粉にする
型式番号:GaN FSC U C50 SSP
原産地:中国
最低順序量:1pcs
支払の言葉:T/T
供給の能力:1ヶ月あたりの50PCS
受渡し時間:1-5weeks
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Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
2インチガナシ基板テンプレート,LED用のガナシ基板,LD用の半導体ガリウムナイトリド用のガナシ基板,mcvdガナシ基板,自由立体ガナシ基板,カスタマイズされたサイズ,LED用の小型ガナシ基板,mocvd ガリウムナイトリドウーフ 10x10mm,5x5mm,10x5mmのガナウエフ,非極性フリースタンドガナウエフ基板 ((a平面とm平面)
4インチ2インチ自由立 GaN基板HVPE GaNワッフル
GaN・ウェーファー特性
- III-ニトリド (GaN,AlN,InN)
ガリウムナイトライドは,広いギャップの化合物半導体の一種である. ガリウムナイトライド (GaN) の基板は,
高品質の単結晶基板です 原始のHVPE方法と,中国で10年以上開発されてきた ウェーファー加工技術で作られています特徴は高い結晶性表面の質が優れている.また,白色LEDとLD ((紫,青,緑) のために,多くの種類のアプリケーションに使用されています.電力および高周波電子機器のアプリケーションの開発が進んでいる.
禁止帯域幅 (発光と吸収) は紫外線,可視光,赤外線をカバーする.
適用する
GaNはLEDディスプレイ,高エネルギー検出,画像処理など多くの分野で使用できます
レーザー投影ディスプレイ,電源装置など
- レーザープロジェクションディスプレイ,電源装置など データ保存
- エネルギー効率の良い照明 フルカラーフラディスプレイ
- レーザー プロジェクション 高効率の電子機器
- 高周波マイクロ波装置 高エネルギーの検出と想像
- 新しいエネルギー ソーラー 水素技術 環境 検知と生物医学
- 光源のテラヘルツ帯
独立したGaNウエフルの仕様
| サイズ | 2 " | 4インチ | ||
| 直径 | 500.8mm 士 0.3mm | 1000.0mm 士 0.3mm | ||
| 厚さ | 400ム 士 30ム | 450ミリ 士 30ミリ | ||
| オリエンテーション | (0001) ガ面c平面 (標準); (000-1) N面 (オプション) | |||
| 002 XRD 揺れ曲線 FWHM | < 100 アーーク秒 | |||
| 102 XRD 揺れ曲線 FWHM | < 100 アーーク秒 | |||
| 格子曲線の半径 | > 10 m (直径の80%×で測定) | |||
| M平面に向かってオフカット | 0.5° ± 0.15° [10-10] 方向に | |||
| オフカット オートゴナル a 飛行機へ | 0.0° ± 0.15° [1-210] 方向 @ ウェーファーの中心 | |||
| 飛ぶ方向を切り離す | C平面ベクトル投影は,大 OF 方向を指します | |||
| メジャーオリエンテーション平面 | (10-10) m平面 2° (標準) ±0.1° (オプション) | |||
| 主要方向性 平面長さ | 16.0 mm ±1 mm | 32.0 mm ± 1 mm | ||
| 小型向き 平面向き | Ga-face =下にある大OFと左にある小OF | |||
| 小方向性 平面長さ | 8.0 mm ± 1 mm | 18.0 mm ± 1 mm | ||
| エッジベーベル | 切断された | |||
| TTV (5mmの縁を除く) | < 15m | < 30 um | ||
| ワープ (5mm エッジを除く) | < 20 um | < 80 um | ||
| 弓 (5mmの縁を除く) | -10umから+5um | -40ミリから20ミリ | ||
| 前側の粗さ (Sa) | < 0.3 nm (AFM: 10 um x 10 um エリア) | |||
| < 1.5 nm (WLI: 239 um x 318 um 面積) | ||||
| 裏側表面の仕上げ | 磨き (標準) 切削 (オプション) | |||
| 背面の荒さ (Sa) | 磨き: < 3 nm (WLI: 239 um x 318 um 面積) | |||
| 刻印: 1 um ± 0.5 um (WLI: 239 um x 318 um 面積) | ||||
| レーザーマーク | メジャーフラットで裏側 | |||
| 電気特性 | ドーピング | 耐性 | ||
| N型 (5) リコン | <0.02オム/cm | |||
| UID | <0.2オムcm | |||
| 半断熱 (炭素) | > 1E8オム/cm | |||
| 穴の格付けシステム | 密度 (穴/cm2) | 2 " (穴) | 4" (穴) | |
| 生産 | < 0 でした.5 | < 10 | < 40 | |
| 研究 | < 15 | < 30 | < 120 | |
| 愚か者 | < 2.5 | < 50 | <200 | |
私たちの OEM 工場について
私たちのファクトロイ企業ビジョン
高品質のガナリン基板と 応用技術を 工場で提供します
高品質のガナマテリアルがIII-ナトリドの使用を抑制する要因である.例えば長寿命.
高安定性LD,高電力,高信頼性のマイクロ波装置,高明るさ
高効率で省エネのLEDです
-FAQ
Q: あなたは物流とコストを供給することができますか?
(1) 私たちはDHL,Fedex,TNT,UPS,EMS,SFなどを受け入れます.
(2) 宅急便番号があれば 素晴らしいです
貨物=USD25.0 (最初の重量) +USD12.0/kg
Q: 配達時間は?
(1) 2インチ0.33mmのウエーファーなどの標準製品について
備蓄の場合は,注文から5営業日後に配達します.
カスタマイズされた製品については,注文後2〜4週間の配達です.
Q: どうやって支払いますか?
100%T/T,ペイパール,ウェストユニオン,マネーグラム,安全な支払いと貿易保証
Q: MOQは?
(1) 備蓄の場合は,MOQは5pcsです.
(2) カスタマイズされた製品では,MOQは5pcs-10pcsです.
量と技術によって異なります
Q: 材料の検査報告はありますか?
ROHSレポートを供給し,製品へのアクセスレポートを供給することができます.
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