2-4inch HVPE GaNのウエファーによってカスタマイズされるサイズの支えがないGaNの単結晶材料
型式番号:GaN非北極
原産地:中国
最低順序量:1 羽
支払の言葉:L / C、T / T
受渡し時間:2 - 4週間
包装の細部:100等級のクリーン ルームの単一のウエファーの箱
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確認済みサプライヤー
Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 13 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
2 インチ GaN 基板テンプレート、LED 用 GaN ウェーハ、ld 用半導体窒化ガリウム ウェーハ、GaN テンプレート、mocvd GaN ウェーハ、カスタマイズされたサイズによる自立型 GaN 基板、LED 用小型 GaN ウェーハ、mocvd 窒化ガリウム ウェーハ 10x10mm、5x5mm、10x5mm GaNウェーハ、無極性自立GaN基板(a面、m面)
GaNウェーハの特性
| 製品 | 窒化ガリウム（GaN）基板 | ||||||||||||||
| 製品説明： | サファイア GaN テンプレートは、エピタキシャル水素化物気相エピタキシー (HVPE) 法で提供されます。HVPE プロセスでは、GaCl の反応によって酸が生成され、次にアンモニアと反応して窒化ガリウム溶融物が生成されます。エピタキシャル GaN テンプレートは、窒化ガリウム単結晶基板を置き換える費用対効果の高い方法です。 | ||||||||||||||
| 技術的なパラメータ: |
| ||||||||||||||
| 仕様: | GaN エピタキシャル膜 (C 面)、N 型、2 インチ * 30 ミクロン、サファイア。 GaN エピタキシャル膜 (C 面)、N 型、2 インチ * 5 ミクロンのサファイア。 GaN エピタキシャル膜 (R 面)、N 型、2 インチ * 5 ミクロンのサファイア。 GaNエピタキシャル膜（M面）、N型、2インチ×5ミクロンサファイア。 AL2O3 + GaN 膜 (N 型ドープ Si);AL2O3＋GaN膜（P型ドープMg） 注: お客様のご要望に応じて、特別なプラグの向きとサイズをご用意しています。 | ||||||||||||||
| 標準包装: | 1000クリーンルーム、100クリーンバッグまたはシングルボックス包装 |
応用
GaN は、LED ディスプレイ、高エネルギー検出、イメージング、
レーザープロジェクションディスプレイ、パワーデバイスなど
- レーザープロジェクションディスプレイ、パワーデバイスなど
- 日付の保存
- エネルギー効率の高い照明
- フルカラーフラットディスプレイ
- レーザー投影
- 高効率 電子機器
- 高周波マイクロ波デバイス
- 高エネルギー検出と想像
- 新エネルギーソーラー水素技術
- 環境検出と生物医学
- 光源テラヘルツ帯
仕様:
GaNテンプレート仕様
2~4インチ自立型GaN仕様ファイル
| アイテム | GaN-FS-CU-C50 | GaN-FS-CN-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| 寸法 | e 50.8mm±1mm | ||
| 厚さ | 350±25時 | ||
| 使用可能な表面積 | > 90% | ||
| オリエンテーション | C 面 (0001) M 軸方向へのオフ角度 0.35° ± 0.15° | ||
| オリエンテーション フラット | (1-100) ±0.5°、16.0 ±1.0mm | ||
| 二次オリエンテーション フラット | (11-20) ±3°、8.0 ±1.0mm | ||
| TTV（総厚み変動） | < 午後 15 時 | ||
| 弓 | < 午後 20 時 | ||
| 伝導タイプ | N型 | N型 | 半絶縁性（鉄ドープ） |
| 抵抗率(300K) | < 0.1 Q・cm | < 0.05 Q・cm | >106 Q・cm |
| 転位密度 | 1x105cm-2から3x106cm-2まで | ||
| 研磨 | 前面: Ra < 0.2 nm (研磨);または < 0.3 nm (エピタキシーのための研磨および表面処理) | ||
| 裏面：0.5~1.5pm;オプション: 1~3 nm (ファイングラウンド);< 0.2 nm (研磨済み) | |||
| パッケージ | クラス 100 のクリーン ルーム環境で、窒素雰囲気下の枚葉式容器にパッケージされています。 | ||
| サイズ | 4インチGaN基板 |
| アイテム | GaN-FS-N |
| 寸法サイズ | Ф 100.0mm ± 0.5mm |
| 基板の厚さ | 450±50μm |
| 基板の向き | C軸(0001) M軸方向 0.55± 0.15° |
| 研磨 | SSP または DSP |
| 方法 | HVPE |
| 弓 | <25UM |
| TTV | <20um |
| 粗さ | <0.5nm |
| 抵抗率 | 0.05Ω・cm |
| ドーパント | シ |
(002)FWHM&(102)FWHM | <100arc |
穴の数と最大サイズ そしてピット | 生産グレード≤23@1000 um;研究グレード≤68@1000 um |
| ダミーグレード ≤112@1000 um | |
| 使用可能面積 | P レベル > 90%;R レベル>80%: D レベル>70% (エッジおよびマクロ欠陥を除く) |
| 無極性自立GaN基板(a面、m面) | ||
| アイテム | GaN-FS-a | GaN-FS-m |
| 寸法 | 5.0mm×5.5mm | |
| 5.0mm×10.0mm | ||
| 5.0mm×20.0mm | ||
| カスタマイズされたサイズ | ||
| 厚さ | 330±25μm | |
| オリエンテーション | a面 ± 1° | m面±1° |
| TTV | ≤15μm | |
| 弓 | ≤20μm | |
| 伝導タイプ | N型 | |
| 比抵抗(300K) | < 0.5Ω・cm | |
| 転位密度 | 5×106cm-2未満 | |
| 使用可能な表面積 | > 90% | |
| 研磨 | 前面: Ra < 0.2nm.エピレディ研磨 | |
| 裏面：細挽き | ||
| パッケージ | クラス 100 のクリーン ルーム環境で、窒素雰囲気下の枚葉式容器にパッケージされています。 | |
2.ZMKJは、直径2インチから4インチのGaNウェーハをマイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス業界に提供しています。
HVPEやMOCVD法で成長させたGaNエピタキシャルウェーハは、高周波、高速、ハイパワーデバイスの理想的かつ優れた基板として使用できます。現在、GaNテンプレート、AlGaNを含む、基礎研究およびデバイス製品開発用のGaNエピタキシャルウェーハを提供できます。
とInGaN。標準的な GaN ベースのウェーハに加えて、エピ層構造についてもご相談いただけます。
2-4inch HVPE GaNのウエファーによってカスタマイズされるサイズの支えがないGaNの単結晶材料
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