350um ZnOのウエファーのCDのCdSe CdTe ZnS ZnSeのウエファーおよびZnTeのウエファー
型式番号:MS
原産地:中国
最低順序量:1部分
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間:3仕事日
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Zhengzhou Henan China
住所：
第26のDongqingの通り、ハイテクな地帯、鄭州、河南、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
ZnOのウエファー、CDのウエファー、CdSeのウエファー、CdTeのウエファー、ZnSのウエファー、ZnSeのウエファーおよびZnTeのウエファー
私達は力装置、LED、センサーおよび探知器の塗布に高い純度の単結晶ZnOのウエファーおよびZnOの大きさを提供する。理想的な結晶構造によって、ZnOのウエファー（酸化亜鉛）にGaN、それに2%の格子不適当な組み合わせがである大いにサファイアのウエファーおよびSiCのウエファーの格子不適当な組み合わせよりより少しある。ZnOのウエファーはGaNのエピタキシアル成長および広いバンド ギャップの半導体の塗布として使用のための最も適した基質の1つである。ZnOのウエファーは、サイズで10 x 10 x 0.5 mm undoped供給される、正方形の形二重側面は表面の終わりを磨き、方向づけられて、ZnOの私達の良質のウエファーはずっと成長のために広く利用されているの
窒化物の基盤装置。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
ZnOのウエファーの塗布
| GaNのエピタキシアル成長 | 紫外線探知器 |
| 力装置 | 発光装置 |
| 光起電 | センサー |
ZnOのウエファーの特性
| 化学式 | ZnO |
| 結晶構造 | 六角形 |
| 一定したに格子をつけなさい | 3.3 A |
| <0001>の平面のGaNの格子不適当な組み合わせ | 9 |
| 熱伝導性 | 0.006 cal/cm /K |
| R.i. | 2.0681 / 2.0510 |
| 識別された磨かれた表面 | Zn -表面/O -表面 |
製品仕様書
| 成長 | 熱水 |
|---|---|
| ZnOの大きさ/ブロック | 26.5 x 26.5 x 10のmm |
| ZnOのウエファー | 10 x 10 x 0.5 mm |
| オリエンテーション | Znの表面<0001>/Oの表面<000-1> |
| 抵抗 | 500 - 1000オームcm |
| 表面 | 磨かれた双方 |
| 荒さ | RAの<= 10 A |
| パッケージ | Membrance箱 |
350um ZnOのウエファーのCDのCdSe CdTe ZnS ZnSeのウエファーおよびZnTeのウエファー
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