サファイアの半導体GaN 100mmのガリウム窒化物

型式番号:カスタマイズされる
原産地:中国
最低順序量:5 PC
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:20,000 PC/月
受渡し時間:5-8週
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Chongqing Chongqing China
住所: No.99はさみXIの道、Caijiaの町、北碚区、重慶、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 28 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

サファイアのウエファー(GaN)のガリウム窒化物

 

 

私達は複数の方法を使用してであるサファイアのウエファー育つ

  • Czrochroski (CZ)プロセスはc軸線のサファイアの基質の生産のためにより有効であると知られている。
  • 熱交換器方法(ヘム容積のサファイア ガラスを育てるのに使用される -。
  • Kyropoulos (KY) -良質のサファイアを育てたりしかしたくさんの電気を要求する。
  • 定義される端フィルム与えられる(EFG) - FGの技術。複数の先端EFGを使用して水晶ごとに10以上の水晶1.5mmまで厚く同時に製造する結晶成長プロセス

 

CZ、ヘムまたはKY方法を使用して育つサファイアは増加のために使用され、生産、容量を拡大する。EFGは通常小さい大量生産のために使用される。

 

サファイアの半導体の基質はすべてのオリエンテーションで利用できる

 

オリエンテーションは下記のものを含んでいる:R軸線;軸線;C軸線;M軸線。

サファイアの基質は少数のmm 200mmまでからのさまざまな形(回状、長方形、または顧客の指定に従って正方形)、および終わりで利用できる。第一次平たい箱はオリエンテーションの為に円の基質で(業界標準によって)提供される;二次平たい箱は要求あり次第利用できる。あなたの特定のアプリケ−ション使用要件によって0.025"への0.013"からの基質の厚さの範囲(0.25mm) (0.675mm)。
私達に在庫でウエファーがある!

私達が提供してもいいSpecs:

50.8mm 430um SSPおよびDSP C-M 0.2 Deg

50.8mm 100um SSPおよびDSPのC平面Mの平面に0.2 Deg

50.8mm -利用できる他のspecsおよびorienations

100mm 650um SSP

100mmの機械式の等級-低価格!

他の直径からのしかし10mm x 10mm、76.2mm、150mmおよび200mmに限られなくて。

ガリウム窒化物(GaN)の薄フィルムのMOCVDの成長のためのサファイアのウエファー

MOCVDの成長を育てるクライアント要求のサファイアの基質のための。

製造業者の細部およびパンフレットのために付すPlsは次見、提供については見る

1. 水晶材料:99.995 (または等量)、高い純度、モノクリスタルAl2O3。
2.オリエンテーション:M平面(1-100)の模造されたサファイアの基質(PSS)
3:直径:± 50.8 mmの0.1 mm (2インチの標準的な直径)。
4.厚さ:430 μmの± 25のμm (または等量)。
5.第一次オリエンテーションの平たい箱(の):平面(1 1 -2 0)の± 0.2° (または等量)。
6.二次オリエンテーションの平たい箱:いいえ
7.前部表面:Epi磨かれた、RA 0.3 nm (AFMによって) (またはよりよい)。
8.背部浮上しなさい:良地面、RA =0.5 - 1.2 um (または等量)。
9. PSSの形:円錐形
10. PSS次元:高さ1.5はum、直径1.2-1.8 um、1.2-1.8をum投げる。
11.包装:クラス100のクリーン ルームおよび真空パック。
12。包装の量:カセット1個あたりの25部分。
13。プロダクト起源:台湾。製造業者の細部およびパンフレットのために付けられて見なさい。
14。M-PSSのウエファーはガリウム窒化物(GaN)の薄フィルムのMOCVDの成長に使用するべきである。
15。Qty.[50単位]

Pelaseは値を付けることのための私達に連絡する。

 

 

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サファイアの半導体GaN 100mmのガリウム窒化物

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