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gan transistor manufacturers

1 - 20 の結果 gan transistor manufacturers から 111 製品

10*10mm2はGaNのトランジスターのためのGaN/サファイアの基質をSi添加しました PAM-XIAMENの型板プロダクトはガリウム窒化物(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、アルミニウム ガリウム窒化物(AlGaN)およびサファイアの基質で沈殿するインジウム ガリウム窒化物(InG.........

Time : Dec,06,2024
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無線通信モジュール QPD0011SR アシメトリック・ダブルパス・ディスクリーート・GaNトランジスタ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!! .........

Time : Dec,08,2024
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LM335AZT新しい元の板台紙の温度検出器の精密1 Deg Celのトランジスター製造業者 特徴 ■°Kで直接目盛りを付けられて ■1°C最初の正確さ ■450µAから5mAに作動する ■1Ω動的インピーダンスよりより少し 記述 LM135、LM23.........

Time : Dec,09,2024
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BLF174XRSのN/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路BLF174XRS 指定 項目 価値 D/C 新しい...

Time : Nov,24,2024
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Time : Sep,30,2019
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QPD1016 RF JFET トランジスタ DC-1.7 GHz 500W 50V GaN RF Tr 製造者: コルボ 製品カテゴリー: RF JFETトランジスタ RoHS について 詳細 トランジスタタイプ: HEMT テクノロジー GaN SiC.........

Time : Jul,21,2025
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製品パラメータ 頻度 900MHz 利益 47dBm サイズ 37.3*112*19.5mm パワー 50W パワーフラットネス 1〜1.5dB 供給電流 2.4A 動作温度 --20~+80°C 接続ライン RED:DC24-32Vブラック:GND.........

Time : Jul,23,2025
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高利得および効率のためのHMC199MS8ETR RF力トランジスター HMC199MS8ETR RF力トランジスター 製品の説明: HMC199MS8ETRは最も最近のガリウム窒化物(GaN)の技術を使用するGaNベースのRF力トランジスターである。それは2-500MHzま.........

Time : Nov,30,2024
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INNOTION YP01401650T 50W ガリウムナイトリド 28V DC-4GHz 高電子移動性GAN RF電源トランジスタ 製品説明 イノーションのYP01401650Tは 高効率に設計された 50ワット高電子移動性トランジスタ (HEMT)高い加益率と,最大4000MHzの周波.........

Time : Apr,23,2025
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2インチ 4インチ GaN-on-Sapphire ブルー/グリーン LED ウェッファー フラットまたは PPS サファイア MOCVD DSP SSP GaN-on-Sapphire ブルー/グリーン LED ワッフルの説明: ザファイア (GaN/Sapphire) ワッフル上のGaNは.........

Time : May,06,2025
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電源アダプター製造工場 貿易会社 で は ない 電源アダプター製品に関する任意のカスタマイズを受け入れます 会社のビデオ: 連絡先は: 電話番号と Whats App:+86 18926436337 チェット:szjiaokeji メール:network@szjiao.co.........

Time : Jun,27,2025
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65w UsbC Pd Gan力のアダプター中国はプリント基板のPcbaの設計およびPCBアセンブリを 概観 きのうのケイ素は限界に達した。GaNの技術は今日および明日の明確で、明白な解決である。 GaN力トランジスターの新しい世代へのGaNのシステム アプローチは技術のパワー系統間.........

Time : May,30,2024
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Si 化合物・ウェーファー,Si ウェーファー,シリコン・ウェーファー,化合物・ウェーファー,Si 基板上の GaN,シリコン・カービッド基板,4インチ,6インチ,8インチ,シリコン (Si) 基板上のガリウムナイトリド (GaN) 層 Si ワッフル上のGaNの特性 製造のために.........

Time : Jun,18,2025
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高い発電NPNのエピタキシアル平面の両極トランジスターd1047 b817 製品の説明 記述装置は新しいビットLA (線形アンプのための両極トランジスター)の技術を使用して製造されたNPNのトランジスターである。生じるトランジスターよい利益直線性の行動を示す。 特徴- 高い絶縁破壊電圧VCEO =.......

Time : Dec,02,2024
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ZHL-100W-GAN+は、Mini-Circuitsから、元および新しい部品にある、私達がグローバル市場で持っている競争価格を提供する器械使用Amplifiers.whatである。プロダクトについての詳細を知るか、または低価格を適用することを望んだら私達に「オンライン雑談によって」連絡するか、.......

Time : Dec,09,2024
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ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPNトランジスタ TIP31C NPNタイプトランジスタ TIP31C トランジスタTO-220-3 3AMPER パワートランジスタ 補完シリコン 40−60−80−100VOLTS, 40WATTS 特徴 • 高電流増幅 − 帯域幅製品........

Time : Dec,07,2024
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