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2インチ 4インチ GaN-on-Sapphire ブルー/グリーン LED ウェッファー フラットまたは PPS サファイア MOCVD DSP SSP
ザファイア (GaN/Sapphire) ワッフル上のGaNは,上部にガリウムナイトリド (GaN) の層が育ったザファイア基板から構成された基板材料を指します.GaNは,高電力および高周波の電子機器の製造に使用される半導体材料である.,LED,レーザーダイオード,高電子移動性トランジスタ (HEMT) など.サファイアは,機械的および熱的ストレスに耐える硬くて耐久性のある材料です.GaNの成長に適した基質になるワイルドナイル (GaN) は光電子機器,マイクロ波装置,ミリ波装置,高性能電子装置の製造に広く使用されています.
構造と構成:
ガリウムナイトリド (GaN) エピタキシアル層:
単結晶薄膜:GaN層は単結晶薄膜で,高純度と優れた結晶質を保証する.この特徴は,欠陥と外位を最小限に抑えるために重要です.この模板で製造された装置の性能を向上させる.
材料特性:GaNは広い帯域隙 (3.4 eV),高い電子移動性,高い熱伝導性で知られています.この特性により,高電力および高周波アプリケーションに非常に適しています厳しい環境で動作する装置です
サファイア基板:
機械的強度:サファイア (Al2O3) は, GaN 層に安定した耐久性のある基盤を提供する,例外的な機械的強度を持つ堅固な材料です.
熱安定性:サファイアは高熱伝導性と熱安定性を含む優れた熱性能を示しています.装置の動作中に発生する熱を散らすこと,および高温で装置の整合性を維持するのに役立ちます..
光学透明性:紫外線から赤外線までの範囲で透明性があるため,光電子アプリケーションに適しています.光を発射または検出するための透明な基板として使用できる.
サファイア上のGaNテンプレートの種類:
n型ガリウムナイトリド
p型
半断熱型
マイクロLEDは,拡張現実 (AR),仮想現実 (VR),携帯電話,スマートウォッチの次世代ディスプレイを可能にするメタバースプラットフォームの鍵となる技術と考えられています.
我々は,GaNベースの赤,緑,青,またはUV LEDエピタキシアルウェファーだけでなく,他の提供することができます. 基板はサファイア,SiC,シリコン & バルクGaN基板である可能性があります. サイズは2インチから4インチまで利用できます.
1Q:なぜガンはサファイアに?
A:サファイア基質の使用により,シリコンで育った物質と比較して,より質の高い成長により,より薄いGaNバッファとより単純なエピタキシ構造が可能になります.サファイア基板は,また,シリコンよりも電気的に隔熱性がありますキロボルトのブロック能力を持つべきです
2.Q:GaN LEDの利点は?
A: エネルギーコストの大幅な削減.熱電球や?? 光電球などの伝統的な照明システムは,しばしばエネルギーに飢えているため,エネルギー支出の増加に貢献することができます.GaN ベースの LED 照明は高効率で,優れた照明を提供しながら,はるかに少ない電力を消費します.
