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4GHz 60W RF力トランジスターガリウム窒化物28Vのワイドバンドの高い発電のGaNのトランジスターへのDC

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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

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シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

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China 4GHz 60W RF力トランジスターガリウム窒化物28Vのワイドバンドの高い発電のGaNのトランジスターへのDC wholesale

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4GHz 60W RF力トランジスターガリウム窒化物28Vのワイドバンドの高い発電のGaNのトランジスターへのDC

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型式番号 :VBE6006H

原産地 :中国

最低順序量 :1pcs

供給の能力 :10k

受渡し時間 :5月8日の作業日

包装の細部 :中立的なパッキング

条件 :ブランドの新しいとオリジナル

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商品のタグ：

rf power mosfet transistors

rf mosfet power transistor

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