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gan rf power transistors

1 - 20 の結果 gan rf power transistors から 1051 製品

INNOTION YP01401650T 50W ガリウムナイトリド 28V DC-4GHz 高電子移動性GAN RF電源トランジスタ 製品説明 イノーションのYP01401650Tは 高効率に設計された 50ワット高電子移動性トランジスタ (HEMT)高い加益率と,最大4000MHzの周波.........

Time : Apr,23,2025
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QPD1035 無線通信モジュール 40W 50V 6 GHz GaN RF パワートランジスタ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!! [会社.........

Time : Jun,21,2025
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高利得および効率のためのHMC199MS8ETR RF力トランジスター HMC199MS8ETR RF力トランジスター 製品の説明: HMC199MS8ETRは最も最近のガリウム窒化物(GaN)の技術を使用するGaNベースのRF力トランジスターである。それは2-500MHzま.........

Time : Nov,30,2024
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Time : Sep,30,2019
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Autel Anti Fpv C-Uas マビック 3 5.8GHz 100W GaN アンチモジュール キーワード 産地 広東,中国 ブランド名 LDSK 産地 広東,中国 製品名 RF パワーアンプモジュール (GaN) 頻度 5725-5850MHz 5.8G.........

Time : Nov,18,2024
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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

Time : Nov,03,2023
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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz プッシュ・プル RF パワートランジスタ MOSFET 製造者: TT電子 製品カテゴリー: TT電子 ブランド: セメララボ / TT電子 D2085UKは28Vの電圧で動作し,120Wの出力に対応で.........

Time : Apr,24,2025
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PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF力トランジスターMOSFETS PD85035-Eは共通のソースのN-channel、強化モード側面field-effect RF力であるトランジスター。それは高利得の、広帯域商業および産業適用のために設計されている。それは1つ......

Time : Feb,03,2025
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BFS505 NPN PNPのトランジスターRFトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙 NPN 9つのGHzの広帯域のトランジスター 特徴 •低い消費電流 •高い発電の利益 •低雑音図 •高い転移の頻度 •金のメタライゼーションは保障します 優秀な信頼性 ......

Time : Nov,20,2020
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BFS505 NPN PNP トランジスタ RF トランジスタ NPN 15V 18mA 9GHz 150mW 表面マウント NPN 9 GHz ブロードバンドトランジスタ 特徴 • 低電流消費 • 高い 電力 増加 • 低騒音率 • 高速 移行 頻度 • 金の金属化により 優れた信頼性 •.........

Time : Dec,02,2024
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AOD442/AOI44260V NチャネルMOSFET 概説 AOD442/AOI442によって使用される高度の堀の技術への優秀なR DS ()および低いゲート充満を提供して下さい。それら装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適しています適用。 変数 .........

Time : May,30,2024
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SD1480 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路SD1480 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

Time : Nov,24,2024
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シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている:- 半導体:マイクロコントローラー,トランジスタ,ダ.......

Time : May,31,2024
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導かれるRf、力およびLdのために半絶縁するGaNの支えがない基質、Nのタイプ GaNの支えがない基質 PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない(ガリウム窒化物) GaNの の基質のウエファーの のための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシー.........

Time : Dec,06,2024
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記述 100Wを導入する830~940年MHz GAN 無人機反射RFモジュール 空域を保護するのは 簡単ではありません 100W 950-1050MHzの GAN 防空機RFモジュールでこの装置は,ドローンセキュリティに関心のある人にとって必須です.. 強化 さ れ た 保護 に 関する 先進 な......

Time : Jun,27,2025
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GaN技術を持つワイヤレス通信システム向けにカスタマイズされた高線性4000-5000 MHz RF パワーアンプ 4000-5000 MHz RF パワーアンプは,4-5 GHz周波数帯内で動作するように設計された高性能装置で,最大50Wの出力力を供給する.ワイヤレス通信システムなどの.........

Time : Jun,13,2025
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FMの移動式ラジオのための150-175MHZ RF力MOSFETのトランジスターM68702H 条件: 100%の真新しいプロダクト 部分の状態: 活動的 パッケージ: H2 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的.........

Time : Nov,27,2024
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