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gan power transistors

1 - 20 の結果 gan power transistors から 278 製品

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Time : Sep,30,2019
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高利得および効率のためのHMC199MS8ETR RF力トランジスター HMC199MS8ETR RF力トランジスター 製品の説明: HMC199MS8ETRは最も最近のガリウム窒化物(GaN)の技術を使用するGaNベースのRF力トランジスターである。それは2-500MHzま.........

Time : Nov,30,2024
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INNOTION YP01401650T 50W ガリウムナイトリド 28V DC-4GHz 高電子移動性GAN RF電源トランジスタ 製品説明 イノーションのYP01401650Tは 高効率に設計された 50ワット高電子移動性トランジスタ (HEMT)高い加益率と,最大4000MHzの周波.........

Time : Apr,23,2025
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GaN IC IGLR60R340D1XUMA1 600V CoolGaN強化モード電源トランジスタ 製品説明IGLR60R340D1XUMA1 IGLR60R340D1XUMA1は600VのCoolGaN強化モード電源トランジスタです. 仕様IGLR60R340D1XUMA1.........

Time : Apr,21,2025
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65w UsbC Pd Gan力のアダプター中国はプリント基板のPcbaの設計およびPCBアセンブリを 概観 きのうのケイ素は限界に達した。GaNの技術は今日および明日の明確で、明白な解決である。 GaN力トランジスターの新しい世代へのGaNのシステム アプローチは技術のパワー系統間.........

Time : May,30,2024
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10*10mm2はGaNの電力増幅器PAM-XIAMENの型板プロダクトのためのサファイアの基質のエピタキシアル ウエファーがガリウム窒化物(GaN)の結晶の層から、窒化アルミニウム(AlN)、アルミニウム ガリウム窒化物(AlGaN)およびサファイアの基質で沈殿する、インジウム ガリウム窒化物......

Time : Feb,13,2020
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キーワード 産地 広東,中国 ブランド名 LDSK 産地 広東,中国 製品名 RF パワーアンプモジュール (GaN) 頻度 5150-5350MHz 停電する 50W 周波数と電力をカスタマイズする 支援 マックス・ゲイン 47 dBm 電圧 24~32V.........

Time : Dec,24,2024
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スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

Time : Jun,12,2024
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30P06D TO-252の高い発電のトランジスター、注文の電界効果トランジスタ 高い発電のトランジスター記述 30P06D使用高度の堀優秀なR DSを提供する技術()そして低いゲート充満。この装置はありますとしてまたは使用負荷スイッチのために適したPWMの適用。 高い発電のトラン.........

Time : May,30,2024
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IGBT力トランジスターSGL160N60UFD 600V 160A 250W UFDシリーズ ゲートの両極トランジスター 記述 フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導を提供する 転換の損失。UFDシリーズは運動制御および大将のよう.........

Time : Nov,28,2024
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PBSS5160TへのSOT23プラスチック パッケージPNPの補足物のPBSS4160T NPN低いVCEsatのトランジスター 特徴•低いコレクター エミッターの飽和電圧VCEsat•高いコレクター流れの機能ICおよびICM•高性能は、熱生成を減らします•必要なプリント回路板区域を減らします•中......

Time : Nov,30,2024
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高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C (TJ) パッケージ: TO263-3 D2P.........

Time : Nov,27,2024
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コンピュータのラップトップのための単一のUSBポートのタイプc 65w gan力の充電器 製品名 Mult港USBの速い充電器5V 3AのタイプC港は65W Ganの充電器の速い充満を支える モデル.........

Time : May,30,2024
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FQPF18N60C -あなたの電子プロジェクトのための最終的な力トランジスター--を導入するFQPF18N60Cの力-高圧および高い現在の適用のための理想を自由にしなさい 高圧および高い現在の適用を扱うことができる力トランジスターを捜すか。FQPF18N60Cよりそれ以上に見てはいけない。.........

Time : Nov,30,2024
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MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター MJD112 (NPN) MJD117 (PNP) 補足のダーリントン力トランジスター 表面の台紙の塗布のためのDPAK ケイ素力トランジスター 2アンペア 100ボル.........

Time : May,30,2024
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MJ13333 スイッチモードシリーズ 20AMPERE NPN シリコン電源トランジスタ 400- 500VOLTS 175WATTS カテゴリー トランジスタ Mfr モトロラー シリーズ - 部品のステータス - マウント.........

Time : May,01,2025
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2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3......

Time : Nov,20,2020
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