gan on sic substrate

4inch dia100m 4H-Nのタイプ生産の等級の模造の等級SiCの基質、半導体デバイスのための炭化ケイ素の基質、 4h-semi 4h-Nは正方形の形sicのウエファーをカスタマイズした アプリケーション領域 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオ.........

430umサファイア350um Sicの基質の2inch 5umの厚さのAlNの窒化アルミニウムの型板 AlNのウエファーの特徴 III窒化物（GaN、AlNのイン） サファイアまたはsicの基質のHVPEガリウム窒化物のウエファー、GaNのAlNの基質の2inch AlNの型板.........

製品の説明PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供する。私達はSiCの結晶成長の技術を開発し、SiCの水晶ウエファーの加工技術はGaNのエピタクシー装置、力装置、高温装置および光電子工学装置で加えられ......

ワイヤレス通信モジュール QPA2511 100 ワット 50 ボルト GaN On SiC パワーアンプ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!!.........

HMC544AE RF力トランジスター 特徴: - 高出力力:典型的な28 dBm - 高利得:典型的な14 dB - 低雑音図:典型的な2 dB - 優秀な直線性 - 広い帯域幅:600のMHz - 迎合的なRoHS パッケージ:表面の台紙、4鉛SOT-363.........

ZnO結晶基板は,GaN (青いLED) エピタキシアル基板のブロードバンド接続装置および他の分野で使用されます. 亜鉛酸化物 (ZnO) の結晶基板は,GaN (青いLED) の表軸基板,ブロードバンド接続装置,その他の分野で使用されている.亜鉛酸化物単結晶は,室温で60mevのエキソン結合エネル......

記述ScAlMgO4 （MgScAlO4SCAM）の水晶は一種のGaNであり、heteroepitaxy ZnOは理想的な基質材料と最近成長した、0.3246 nm =定数に格子をつける新しい基質materials.ScAlMgO4の水晶で現在それGaNにおよびZnOは最もよく一致させるために六角形......

青および緑LEDの部品のためのサファイアの基質 製品の説明 青および緑の発光ダイオードで使用される材料は主にGaNである。GaNの早い研究はエピタキシアル水晶の欠陥の密度に終って主にずっとそれがGaNの格子定数に一致させる基質を見つけることはないので重要な進歩をしなかった。同じ鏡のよ.........

製品説明: アルミナイトリドセラミック製品概要 GaN-on-QSTは,米国Qromis社によって提供され,シリコン基板または種子結晶として使用できます. 2017年,彼らは,Kyma Technologiesと協力して,QST基材技術に基づく最初の自由立体GaN基板 (4インチ) を生産.........

大幅な直接帯域差 (3.4 eV),強い原子結合,高熱伝導性,優れた放射線抵抗性により,GaNは短波長光電子材料だけでなく,高温半導体装置の代替材料でもあります安定した物理的および化学的性質に基づいて,GaNはLEDアプリケーション (青,緑,UV光),紫外線検出器および高電力および高周波の光電子機......

LED基板のための磨き車 適用する LED基板の磨き機は,主に2 ′′,4 ′′,6 ′′LEDエピタキシアルウエフルのバックスライディングに使用されます.高性能の韓国と台湾の磨き機. 工件:サファイアエピタキシャル・ウエファー,SiC基板エピタキシャル・ウエファー,Si基板エピタキシャル・ウエ........

QPA2933 RFのアンプ2.9-3.3GHz 60W GaN PA OVMQorvo QPA2933 Sバンド60W GaN電力増幅器 Qorvo QPA2933 Sバンド60W GaN電力増幅器は2.9GHzへの3.3GHzのために62%パワー加えられた効率を達成している間最大限に活用さ.........

高純度 緑色/黒色 シリコン・カービッド粉末/パウダー Sic 16#~2000# 記述: シリコンカービッドは,炭素とシリコンから成る化合物半導体材料である.シリコンカービッド (SiC),ガリウムナイトリド (GaN),アルミナイトリド (ALN),ガリウム酸化物 (Ga2O3),な.........

2400MHz-2500MHz 2.4GHz 2.5GHz 20W GANドローンFPVジャマー 1. 記述 ACASOMが独立して開発した 50W ドローン FPV ジャマーが主にドローンとFPVをシールドするために使用され,シールド距離は1-2kmです.この製品は,最新世.........

製品説明: GT-UVV-LW InGaN ベースのUV光二極光電モード操作 特徴: 概要: インディウムガリウムナイトリドベースの材料 l 光伏モードでの動作 l TO-46 メタルホイジング l 高い応答性と低いダーク電流 応用:UVLEDモニタリング,UV放射線量測定,UVキュリング パラ........

2インチの支えがないGaNの基質次元:Ф ± 50.8 mmの厚さ1つのmmの:350 ± 25のµmの使用可能な表面積:>90%のオリエンテーション:平らなM軸線0.35°± 0.15°のオリエンテーションの方の角度を離れたC平面（0001）:（1-100の） ± 0.5°の16.0の±平らな1......

ダイヤモンドは0.3mmの厚い薄膜のジルコニアZrO2の陶磁器の基質を磨きました陶磁器の棒の指定: 1. 原料:Yttriaは安定させましたジルコニア、MgOによってを安定させたジルコニア、95~99.5%アルミナ、炭化ケイ素（SiC） 2.方法を形作ること:突き出て、押された、陶磁器の射出成.........

ナノグレード 基板チップ アルミナ 磨き粉 アルファアルミナ (コロンドム) は高硬さと良好な安定性を有する.ナノスケールアルミナは,光学レンズ,単核繊維コネクタ,微結晶ガラス基板の精密磨きに適しています.,現在では,この技術が非常に広く使われています.高明るさのGaNベースのブルーLE.........