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10 年
2インチの支えがないGaNの基質
次元:Ф ± 50.8 mmの1つのmm
厚さ:350 ± 25のµm
使用可能な表面積:> 90%
オリエンテーション:M軸線0.35°± 0.15°の方の角度を離れたC平面（0001）
オリエンテーションの平たい箱:（1-100の） ± 0.5°の16.0の± 1.0 mm
二次オリエンテーションの平たい箱:（11-20の） ± 3°の8.0 ± 1.0 mm
総厚さの変化:≤ 15のµm
弓:≤ 20のµm
伝導のタイプ:Nタイプ（Undoped）;Nタイプ（GE添加される）;Semi-Insulating （Fe添加される）
抵抗（300K）:< 0.5 Ω·cm;< 0.05 Ω·cm;>106 Ω·cm
転位密度:1~9x105 cm-2;5x105 cm-2;~3x106 cm-2
1~9x105 cm-2;1~3x106 cm-2;1~3x106 cm-2
ポーランド語:前部表面:RA < 0.2 nm。Epi準備ができた磨かれた
背部表面:良い地面