5.1 mosfetのアンプ回路

BAV99,215 Mosfet力トランジスター ダイオード-一般目的、力、切換えSW DBL 100V 215MA HS 概説 小さい表面取付けられた装置（SMD）プラスチック パッケージで内部に閉じ込められる高速スイッチング・ダイオード。.........

LM1951Tの切換え力mosfetのアンプICの破片力MosfetのトランジスターLM1951ソリッド ステート1つのAmpスイッチ 概説 LM1951は高い流れ、高圧、作り付けのエラー検出回路が付いている高い側面の（PNP）スイッチです。 LM1951は1つのAmpの出力電流を提供す.........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

穴TO-220ABを通したIRFB5620PBF NチャネルMOSFET 200V 25A 144W 記述 このデジタル音声MOSFETはクラスDのオーディオ・アンプの塗布のためにとりわけ設計されています。このMOSFETは利用します ケイ素区域ごとの低いオン抵抗を達成する最も最近の加工の技巧。なお......

TDA7803A-ZSTの電力増幅器PowerSO-36の自動車表面の台紙 TDA7803Aは高度BCDの技術の統合の単一の破片のクォード橋アンプである:I2S （またはTDM）へのダイレクト接続のための完全なD/Aのコンバーター、デジタル入力および強力なMOSFETの出力段階。 .........

IRLML0100TRPBF MOSFET 高性能、高効率、低 RDS(ON) パワー エレクトロニクス 製品リスト: IRLML0100TRPBF MOSFET 製品説明：これは、低電圧、高電流スイッチング アプリケーション向けに設計された.........

IRS2092STRPBF IC AMPのクラスDモノラル16SOICインフィニオン・テクノロジーズ プロダクト細部 記述 IRS2092はPWMの変調器が付いている高圧、高性能のクラスDのオーディオ・アンプの運転者および保護である。2外的なMOSFETおよび少数の外的な部.........

ヤスカワ SGDF-A1CS シグマ 全新 ミニ AC サーボアンプ 24V 記述: ヤスカワ SGDF-A1CS シグマ ミニ AC サーボアンプSGDF-A1CSP/N: 0W0464-3-524 V DC 入力10W (0.013hp) 定量容量速度/トルク制御 (アナログ入力) 特徴: マニ......

ヤスカワ シグマ ミニ SGDF-B3CP 24V AC サーボアンプ 全新 記述: ヤスカワ SGDF-B3CP シグマ ミニ AC サーボアンプ このユニットは,元の製造者のパッケージで出荷されます. SGDF-B3CP24 V DC 入力3W (4.02hp) 定量容量位置制御 .........

650V クールシC MOSFETs IMBG65R072M1H Nチャンネル 33A 140W 表面マウント PG-TO263-7-12 IMBG65R072M1Hの製品説明 IMBG65R072M1H CoolSiCTM MOSFETs 650Vは,シリコンカービードの物理的強度とデバイスの........

XRF286SのN/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路XRF286S 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

質が良い電子部品中国GSエレクトロニクスからのサプライヤー 製品モデル:AD8608ARZ 製品説明:AD8608ARZは,高性能,低電力,鉄道と鉄道の入力/出力操作増幅器で,幅広い精密アプリケーションのために設計されています.低歪み高品質の信号増幅と信号調節を必要とするアプリケーションにとっ.........

PXAC241702FC-V1-R250 RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスターRFP-LD10M 記述ThePXAC241702FCは2300から2400の......

電気D2PAK Mosfet Irfz44ns Passimのタバコ機械予備品 トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のター.........

速い細部 型式番号: NS4165 タイプ: 集積回路 原産地: 中国 銘柄: 原物 記述: ICの破片 電圧-故障: 30V 頻度-切換え: 100MHz 力（ワッ......

製品の説明プロダクト細部 包装 管 部分の状態時代遅れタイプクラスAB出力タイプ2チャネル（ステレオ）最高の出力電力xは@負荷を運ぶ10W X 2 @ 8Ohm電圧-供給6.5V | 18V特徴黙秘者、短絡および断熱システムのスタンバイタイプの取付け穴を通して実用温度0°C | 70°C （TA........

Transisitor PLC 4チャネルによって増幅される板JR-4J大きい負荷および優秀な安定性 使用:積載量と出力される拡張PLCのため。 特徴および利点 1. PLCの出力接触の光電子工学の分離の部品、分離および保護を使って 2. 外的な負荷短絡の保護を使って 3.........

STM32G431RBT6腕のマイクロ制御回路- MCUの主流の腕の皮質M4 MCU 170のMHz抜け目がない数学Accel、中型のアナの128 Kバイト オーディオ・アンプ4つx 50のW MOSFETのクォード橋Pwrアンプ 製品特質 属性値 選り抜き属.........

高周波振動試験台 ES-30.pdf 振動試験用高周波振動機電動学型表 適用: 振動試験のための電動学型高周波シェーカーテーブルは,デジタルパワーアンプのシナスパルス幅調節技術を採用しています.その作業原理は:MOSFETの高周波スイッチの電力を使って制御器によって入力された低電.........