Add to Cart
IRFI4019HG-117P 190A パワーMOSFET 100V 超低Rds(on) 1.9mΩ TO-264 高効率 堅牢な性能 優れた熱管理と高電力密度、要求の厳しいアプリケーション向け
特徴
統合ハーフブリッジパッケージ
部品数を半分に削減
より良いPCBレイアウトを容易に
クラスDオーディオアンプアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ
改善された効率のための低RDS(ON)
より良いTHDと改善された効率のための低QgとQsw
より良いTHDと低EMIのための低Qrr
ハーフブリッジ構成アンプで、8Ω負荷あたり最大200Wをチャネルあたりに供給可能
鉛フリーパッケージ
ハロゲンフリー
アプリケーション
説明
このデジタルオーディオMosFETハーフブリッジは、クラスDオーディオアンプアプリケーション向けに特別に設計されています。ハーフブリッジ構成で接続された2つのパワーMosFETスイッチで構成されています。最新のプロセスを使用して、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現しています。さらに、ゲート電荷、ボディダイオード逆回復、および内部ゲート抵抗が最適化され、効率、THD、EMIなどの主要なクラスDオーディオアンプの性能要因が改善されています。これらを組み合わせることで、このハーフブリッジは、クラスDオーディオアンプアプリケーション向けの非常に効率的で堅牢で信頼性の高いデバイスとなっています。
情報
|
カテゴリ
|
|
|
|
メーカー
|
Infineon Technologies
|
|
|
シリーズ
|
-
|
|
|
パッケージング
|
チューブ
|
|
|
ステータス
|
生産中止
|
|
|
テクノロジー
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
|
|
構成
|
2 Nチャネル (デュアル)
|
|
|
FET機能
|
-
|
|
|
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
|
150V
|
|
|
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
|
8.7A
|
|
|
Rds On (最大) @ Id, Vgs
|
95mOhm @ 5.2A, 10V
|
|
|
Vgs(th) (最大) @ Id
|
4.9V @ 50µA
|
|
|
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
|
20nC @ 10V
|
|
|
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
|
810pF @ 25V
|
|
|
電力 - 最大
|
18W
|
|
|
動作温度
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
|
実装タイプ
|
スルーホール
|
|
|
パッケージ/ケース
|
TO-220-5 フルパック、成形リード
|
|
|
サプライヤデバイスパッケージ
|
TO-220-5 Full-Pak
|
|
|
基本製品番号
|
図面
当社の利点：
あらゆる種類のコンポーネントに対するお客様のニーズを満たすことを保証します。^_^
製品リスト
一連の電子部品、半導体、アクティブおよびパッシブコンポーネントの全範囲を提供しています。PCBのBOMをすべて入手できるようお手伝いします。つまり、ここでワンストップソリューションを得ることができます。
提供内容：
集積回路、メモリIC、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、バリスタ、ヒューズ、トリマー＆ポテンショメータ、トランス、バッテリー、ケーブル、リレー、スイッチ、コネクタ、端子台、水晶発振器、インダクタ、センサー、トランス、IGBTドライバ、LED、LCD、コンバータ、PCB（プリント基板）、PCBA（PCBアセンブリ）
強力なブランド：
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDKなど
