Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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200V 25A 144Wの集積回路ICの破片、穴TO-220ABを通したIRFB5620PBF NチャネルMosfet

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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200V 25A 144Wの集積回路ICの破片、穴TO-220ABを通したIRFB5620PBF NチャネルMosfet

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型式番号 :IRFB5620PBF
原産地 :中国
最低順序量 :20 pcs
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力 :相談
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :50PCS/Standardパッケージ
FETのタイプ :N チャネル
流出させて下さいに源の電圧(Vdss) :200V
電圧を運転して下さい :10 V
動作温度 :-55°C | 175°C
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穴TO-220ABを通したIRFB5620PBFのN-Channel MOSFET 200V 25A 144W

記述

このデジタル音声MOSFETはクラスDのオーディオ・アンプの塗布のためにとりわけ設計されている。このMOSFETは利用する

ケイ素区域ごとの低いオン抵抗を達成する最も最近の加工の技巧。なお、ゲート充満、ボディ ダイオード

逆の回復および内部ゲートの抵抗は主クラスDのオーディオ・アンプの性能を改善するために最大限に活用される

効率、THDおよびEMIのような要因。このMOSFETの付加的な特徴は175°C作動の接続点である

温度および反復的ななだれの機能。これらの特徴はこのMOSFETに非常に能率的の作るために結合する

ClassDのオーディオ・アンプの塗布のための強く、信頼できる装置

FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 200V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 25A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V
(最高) @ ID、VgsのRds 72.5 mOhm @ 15A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 5V @ 100µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (最高) ±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 1710pF @ 50V
FETの特徴 -
電力損失(最高) 144W (Tc)
実用温度 -55°C | 175°C

 

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