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穴TO-220ABを通したIRFB5620PBFのN-Channel MOSFET 200V 25A 144W
記述
このデジタル音声MOSFETはクラスDのオーディオ・アンプの塗布のためにとりわけ設計されている。このMOSFETは利用する
ケイ素区域ごとの低いオン抵抗を達成する最も最近の加工の技巧。なお、ゲート充満、ボディ ダイオード
逆の回復および内部ゲートの抵抗は主クラスDのオーディオ・アンプの性能を改善するために最大限に活用される
効率、THDおよびEMIのような要因。このMOSFETの付加的な特徴は175°C作動の接続点である
温度および反復的ななだれの機能。これらの特徴はこのMOSFETに非常に能率的の作るために結合する
ClassDのオーディオ・アンプの塗布のための強く、信頼できる装置
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 200V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 25A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 72.5 mOhm @ 15A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 5V @ 100µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 1710pF @ 50V |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 144W (Tc) |
実用温度 | -55°C | 175°C |
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ME005A | N/A | GVT7164D32Q-6 | GALVANTE | |
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