200V 25A 144Wの集積回路ICの破片、穴TO-220ABを通したIRFB5620PBF NチャネルMosfet
型式番号:IRFB5620PBF
原産地:中国
最低順序量:20 pcs
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力:相談
受渡し時間:2〜3営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
穴TO-220ABを通したIRFB5620PBFのN-Channel MOSFET 200V 25A 144W
記述
このデジタル音声MOSFETはクラスDのオーディオ・アンプの塗布のためにとりわけ設計されている。このMOSFETは利用する
ケイ素区域ごとの低いオン抵抗を達成する最も最近の加工の技巧。なお、ゲート充満、ボディ ダイオード
逆の回復および内部ゲートの抵抗は主クラスDのオーディオ・アンプの性能を改善するために最大限に活用される
効率、THDおよびEMIのような要因。このMOSFETの付加的な特徴は175°C作動の接続点である
温度および反復的ななだれの機能。これらの特徴はこのMOSFETに非常に能率的の作るために結合する
ClassDのオーディオ・アンプの塗布のための強く、信頼できる装置
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 200V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 25A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 72.5 mOhm @ 15A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 5V @ 100µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1710pF @ 50V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 144W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C |
| 在庫の他の電子部品のリスト | ||||
| TC74LVX08FT | 東芝 | AD8278BRZ | ADI | |
| PIC16LF1503-I/SL | マイクロチップ | FDC37C669QFP | SMSC | |
| EM638165TS-6G | ETR | CY28447LFXCT | CYPRESS | |
| CX0342ABKA | CMOX | A1020B-PL68C | ACTEL | |
| ADL5358ACPZ-R7 | ADI | TPA2037D1YFFR | TEXASINST | |
| LRB751S-40T1G | LRC | IRF1405ZPBF | IR | |
| LF1005-K1R8DABT/LF | ACX | FDD6630A | フェアチャイルド | |
| IMP809LEUR/T | IMP | FAN8033 | FAI | |
| B39781B8525P810S 5 | EPCOS | 7FLU09M6 | ST | |
| AT28LV010-20JU | ATMEL/ADESTO | XC2C64A-7VQG44C | XILINX | |
| TZBX4Z030BA110T00 | 村田 | SMM3K102TU （T5L | 東芝 | |
| TK80S06K3L | 東芝 | PCM1680DBQR | チタニウム | |
| RCLAMP2504P.TCT | SEMTECH | MAAM-011208-TR3000 | MACOM | |
| MIC2563A-0BSMTR | MICREL | L298P | ST | |
| HMC472ALP4ETR | ヒッタイト人 | HSML-A431-X90M1 | AVAGO | |
| EDZTE6111B | ROHM | AT24C08AN-10SU2.7 | ATMEL/ADESTO | |
| STC12C2052-35I-SOP20G | STC | S3C2450XH-40N | サムスン | |
| PT7C4512WEX | PERICOM | LXT908PC | LEVELONE | |
| ME005A | N/A | GVT7164D32Q-6 | GALVANTE | |
| 55A350L | E | ALXD800EEXJ2VD C3 | AMD | |
200V 25A 144Wの集積回路ICの破片、穴TO-220ABを通したIRFB5620PBF NチャネルMosfet
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