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ICのダイオードのトランジスター

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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シティ：shenzhen

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IRLML0100TRPBF MOSFET 高性能、高効率、低 RDS(ON) パワーエレクトロニクス

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型式番号 :IRLML0100TRPBF

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1-3幾日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :100ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :1.6A （Ta）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :4.5V、10V

（最高） @ ID、VgsのRds :220mOhm @ 1.6A、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :2.5V @ 25µA

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :2.5 NC @ 4.5ボルト

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IRLML0100TRPBF MOSFET 高性能、高効率、低 RDS(ON) パワーエレクトロニクス

製品リスト:

IRLML0100TRPBF MOSFET

製品説明：
これは、低電圧、高電流スイッチングアプリケーション向けに設計された N チャネルパワー MOSFET です。オーディオアンプ、DC-DCコンバータ、DCモータードライバー、バッテリー管理、電源管理回路などのアプリケーションで使用するように設計されています。

特徴：
- 低オン抵抗 RDS(on): 0.0075Ω @ VGS = 10V
- 最大ドレイン電流: 6.5A
- 最大ドレイン・ソース電圧: 30V
- 最大ゲートしきい値電圧: 4V
- 最大動作ジャンクション温度: 175°C
- MSL 評価: MSL1
- パッケージタイプ: SOT-23

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