IRLML0100TRPBF MOSFET 高性能、高効率、低 RDS(ON) パワー エレクトロニクス

型式番号:IRLML0100TRPBF
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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IRLML0100TRPBF MOSFET 高性能、高効率、低 RDS(ON) パワー エレクトロニクス


製品リスト:

IRLML0100TRPBF MOSFET

製品説明:
これは、低電圧、高電流スイッチング アプリケーション向けに設計された N チャネル パワー MOSFET です。オーディオアンプ、DC-DCコンバータ、DCモータードライバー、バッテリー管理、電源管理回路などのアプリケーションで使用するように設計されています。


特徴:
- 低オン抵抗 RDS(on): 0.0075Ω @ VGS = 10V
- 最大ドレイン電流: 6.5A
- 最大ドレイン・ソース電圧: 30V
- 最大ゲートしきい値電圧: 4V
- 最大動作ジャンクション温度: 175°C
- MSL 評価: MSL1
- パッケージタイプ: SOT-23


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China IRLML0100TRPBF MOSFET 高性能、高効率、低 RDS(ON) パワー エレクトロニクス supplier

IRLML0100TRPBF MOSFET 高性能、高効率、低 RDS(ON) パワー エレクトロニクス

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