350um sic substrate

430umサファイア350um Sicの基質の2inch 5umの厚さのAlNの窒化アルミニウムの型板 AlNのウエファーの特徴 III窒化物（GaN、AlNのイン） サファイアまたはsicの基質のHVPEガリウム窒化物のウエファー、GaNのAlNの基質の2inch AlNの型板.........

4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級 粉装置のための6inch 4H-N 500mm 350um sicの基質のウエファー 6インチ（直径）、炭化ケイ素（SiC）の基質の指定 等級 ゼロMPDの等級 生産の等級 研究の等......

製品の説明PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供する。私達はSiCの結晶成長の技術を開発し、SiCの水晶ウエファーの加工技術はGaNのエピタクシー装置、力装置、高温装置および光電子工学装置で加えられ......

ZnOのウエファー、CDのウエファー、CdSeのウエファー、CdTeのウエファー、ZnSのウエファー、ZnSeのウエファーおよびZnTeのウエファー 私達は力装置、LED、センサーおよび探知器の塗布に高い純度の単結晶ZnOのウエファーおよびZnOの大きさを提供する。理想的な結晶構造によって、ZnOの......

LED基板のための磨き車 適用する LED基板の磨き機は,主に2 ′′,4 ′′,6 ′′LEDエピタキシアルウエフルのバックスライディングに使用されます.高性能の韓国と台湾の磨き機. 工件:サファイアエピタキシャル・ウエファー,SiC基板エピタキシャル・ウエファー,Si基板エピタキシャル・ウエ........

ダイヤモンドは0.3mmの厚い薄膜のジルコニアZrO2の陶磁器の基質を磨きました陶磁器の棒の指定: 1. 原料:Yttriaは安定させましたジルコニア、MgOによってを安定させたジルコニア、95~99.5%アルミナ、炭化ケイ素（SiC） 2.方法を形作ること:突き出て、押された、陶磁器の射出成.........

パワー モジュール フォーパック トポロジー A2F12M12W2-F1 SiC パワー MOSFET IGBT モジュール フル ブリッジ A2F12M12W2-F1の説明 この A2F12M12W2-F1 は、高度なシリコン カーバイド パワー MOSFET 技術を統合した.........

陶磁器の窒化ホウ素の基質のBN.シート陶磁器熱い押された窒化ホウ素（HPBN）は産業陶磁器材料の1つである、硬度および機械強さは他のAl2O3、ZrO2、Si34、SiCおよびAlNの製陶術程に高くない、従ってそれは機械適用のために適していない。その最も有名な特徴は熱および電気適用におよびさまざまな......

キャリアのウエファーとして石英ガラスの水晶ホウケイ酸ガラスのウエファー 低い厚さが原因で、薄いウエファーは重点を置くために傷つきやすく破損。扱い、処理の間のウエファーの歪むにより高い収穫の損失を引き起こすか、またはウエファーをもう扱うことを不可能にすることができる。これはウエファーおよび基質.........

防弾チョッキで使用される99.9%の純粋なSICのセラミック タイル/炭化ケイ素の陶磁器の版のほう素の炭化物の版 炭化ケイ素の粉が堅い製陶術、耐火物、研摩剤および合成補強を製造するのに使用されている。Single-crystalプロダクトは高温適用のために半導体の基質で混合物として使用される.........

HTCVD シリコンカービード (CVD SIC) エピタキシ成長炉 この装置は,炭素基/セラミック基の材料のシリコンカービードコーティングに使用されます.特に半導体の表層にシリコンカービッドが堆積し,エピタキシアル受容体とエッチリング. エピタキシアルベース 高純度グラフィットディスク 円の溝で.......

アルミナの陶磁器の版、Al2O3陶磁器の版、アルミナの陶磁器の基質99%のal2o3ヒーター シートの版 物質的な特性のデータ用紙 Al2O3 ZrO2/Y2O3 ZrO2/MgO MgO Si.........

記述 シリコンナイトライドセラミックは,高硬さ,高強度,低熱膨張係数,低高温クレイプ,良い抗酸化性能などの多くの優れた性能を持っています.熱腐食性能が良さ耐摩擦係数も小さい.総合的な性能において最高の陶器材料である.航空宇宙,高速鉄道,新エネルギー車両の分野で広く使用されている.絶縁グリッド双極結晶......