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4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級
粉装置のための6inch 4H-N 500mm 350um sicの基質のウエファー
| 6インチ（直径）、炭化ケイ素（SiC）の基質の指定 | ||||||||
| 等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | ||||
| 直径 | 150.0 mm±0.2mm | |||||||
| ThicknessΔ | 350 μm±25μmか500±25un | |||||||
| ウエファーのオリエンテーション | 軸線を離れて:軸線の< 1120=""> 4H-Nのための±0.5°の方の4.0°: <0001>6H-SI/4H-SIのための±0.5° | |||||||
| 第一次平たい箱 | {10-10} ±5.0° | |||||||
| 第一次平らな長さ | 47.5 mm±2.5 mm | |||||||
| 端の排除 | 3つのmm | |||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
| Micropipe密度 | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||
| 抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
| 荒さ | ポーランドRa≤1 nm | |||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
| 高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | |||||
| 高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | |||||
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積area≤2% | 累積area≤5% | |||||
| 高輝度ライトによる傷 | 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | |||||
| 端の破片 | どれも | 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ | 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ | |||||
| 高輝度ライトによる汚染 | どれも | |||||||
