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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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6Inch VGFの成長方法PタイプGaAsのウエファーGaAsの基質
6inch VGFの成長方法PタイプGaAsのウエファーGaAsの基質 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------.....
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3inch VGF GaAsのウエファーの研究テスト等級NのタイプGaAsの基質
3inch VGF GaAsのウエファーはテスト等級NタイプGaAsの基質425umを研究する 675um SSP DSP GaAsのウエファーを離れた2inch 3inch 4inch 6inch VGF方法Nタイプのun-doped GaAs基質2degree --------------......
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4inch GaAsのウエファーのガリウム砒素の基質DSP NのタイプPのタイプ
4Inch GaAsのウエファーのガリウム砒素の基質DSP-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------...
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LEDのために磨かれる2inch Siの添加物GaAsのウエファーのガリウム砒素の基質の二重側面
LEDの塗布のために磨かれる2Inch Siの添加物GaAsのウエファーのガリウム砒素の基質の二重側面---------------------------------------------------------------------------------------------------...
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Nタイプ/Un-DopedタイプGaAsのウエファーのGaSb 2inch InAsのウエファー
32inch InAsのウエファーのNタイプのun-dopedタイプGaAsのウエファーのGaSbのウエファー 適用 基質材料としてInAsの単結晶がInAsSb/InAsPSb、InNAsSbおよび他のヘテロ接合材料を育てるのに使用することができ生産の波長は2~14のμ......
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SiはUndoped GaAsのウエファーのガリウム砒素の基質2inch Nのタイプを添加した
VFGのmetod Nタイプ3inch、4inchのマイクロエレクトロニクス、Nタイプ2inchのための6inch dia150mm GaAsのガリウム砒素のウエファーのSemi-insulatingタイプはun-doped GaAasのウエファーのガリウム砒素の基質をSi添加した -......
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マイクロエレクトロニクスのためのVGF方法GaasウエファーDia 150mmの半絶縁のタイプ
VFGのmetod Nタイプ3inch、4inchのマイクロエレクトロニクスのためのタイプを半絶縁する6inch dia150mm GaAsのガリウム砒素のウエファー -----------------------------------------------------------......
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GaAsレーザーエピタキシアルウェーバー ガリウムアルセニードウェーバー VCSEL/PD エピタキシアルウェーバー インテリジェントセンシング
2インチガリウムアルセニード・ウェーバー LDレーザーダイオードのためのGaAsエピタキシアル・ウェーバー,半導体エピタキシアル・ウェーバー, 3インチGaAsウェーバー, GaAsシングルクリスタルウェーバー 2インチ3インチ4インチGaAs基板半導体ウエファーガリウムアルセニードレーザー エピタ...
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4インチのガリウム砒素のウエファー、低温合金のためのGaasの基質
4inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー (要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です) -------------------.....
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N - ガリウム砒素のウエファーGaAsに単結晶の基質を2 - 6インチ タイプして下さい
3inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー (要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です) ----------------......
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