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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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GaAsのウエファー
Znoの基質、ガリウム砒素のウエファーの酸化亜鉛の水晶の基質
ZnOの基質、10X10mmの小さい正方形の酸化亜鉛のウエファー、異なったオリエンテーションの5x5mm ZnOの基質、ZnOの単結晶 ---------------------------------------------------------------------------------....
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GGGの基質、ガドリニウム ガリウム ガーネットGGG Gd3Ga5012水晶の基質
GGGの基質、10X10mmの小さい正方形の酸化亜鉛のウエファー、異なったオリエンテーションの5x5mm GGGの基質、ガドリニウム ガリウム ガーネットGGG Gd3Ga5012水晶の基質 -----------------------------------------------------....
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Laalo3基質、ガリウム砒素のウエファーのランタンのアルミン酸塩水晶の基質
LaAlO3基質、10X10mmの小さい正方形のランタンのアルミン酸塩LaAlO3crystal基質の単結晶 ----------------------------------------------------------------------------------------------....
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10X10mmのSrtio3基質の光学ガラスの窓のための小さい正方形のストロンチウムのチタン酸塩
SrTiO3基質、10X10mmの小さい正方形のストロンチウムのチタン酸塩SrTiO3基質、10x10 SrTiO3のウエファー--------------------------------------------------------------------------------------...
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500um厚さのインジウムのヒ化物のウエファーのInAsの水晶ウエファー2インチ(直径) 50.8mm
2inch直径50.8mmの500um厚さのInAsの基質、インジウムのヒ化物のInAsの水晶ウエファー、Nタイプ3inch 0.6mm InAsのウエファー、10x10mm正方形のInAsのウエファー ------------------------------------------------...
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Dia 50.8mm半導体の基質のための2インチのガリウム砒素のウエファー
2inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー(要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です) ---------------------....
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マイクロエレクトロニクスのためのVGF方法GaasウエファーDia 150mmの半絶縁のタイプ
VFGのmetod Nタイプ3inch、4inchのマイクロエレクトロニクスのためのタイプを半絶縁する6inch dia150mm GaAsのガリウム砒素のウエファー -----------------------------------------------------------......
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N - ガリウム砒素のウエファーGaAsに単結晶の基質を2 - 6インチ タイプして下さい
3inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー (要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です) ----------------......
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4インチのガリウム砒素のウエファー、低温合金のためのGaasの基質
4inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー (要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です) -------------------.....
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二重側面はSemicondutorのウエファー1sp 2sp 10X10mm GGGの水晶基質の破片を磨きました
GGGの基質、10X10mmの小さい正方形の酸化亜鉛のウエファー、異なったオリエンテーションの5x5mm GGGの基質、ガドリニウム ガリウム ガーネットGGG Gd3Ga5012水晶の基質 -----------------------------------------------------....
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