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GaAs レーザー エピタキシアル ウェーバーの特徴
- GaAsウエフルの製造に使用する
- デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします
レーザーで使われています レーザーで使われています
- 0.7μmから0.9μmの波長範囲で,量子井戸構造
- MOCVD や MBE,エッチング,金属化,包装などの技術を使用して,最終的な形状を達成します
GaAsレーザー エピタキシャルウエフルの説明
ガリウムアルセニード (GaAs) エピタキシアルウェーファーは重要な半導体材料であり,光電子機器および高周波電子機器に広く使用されています.
エピタキシアル成長技術によるガリウムアルセニド基板で栽培され,優れた光電子特性があります.
GaAsの直接帯域の特性は,LEDやレーザーダイオード (LD) で特に顕著である.効率的に光を放つことができ,光通信とディスプレイ技術に適している.
シリコンと比較して,GaAsは電子移動性が高く,より高速なスイッチ速度をサポートすることができ,特に無線周波数 (RF) とマイクロ波装置に適しています.
さらに,GaAsの表軸晶体は高温環境では安定性も低騒音性も良好で,様々な高電力および高周波用途に適しています.
製造過程では,一般的に使用される表頭成長技術には,金属有機化学蒸気堆積 (MOCVD) と分子ビーム表頭 (MBE) が含まれます.エピタキシアル層の高品質と均質性を保証する.
製造後,GaAsエピタキシアルウエファーはエッチング,金属化,包装などのプロセスを経験し,最終的に高性能の電子および光電子デバイスを形成します.
科学と技術の進歩とともに,GaAsの表軸晶状の応用分野は,特に光通信,太陽電池,センサーの分野で拡大し続けています.広い市場見通しを示している.
GaAsレーザー エピタキシャル・ウェーバーについて
GaAs基板の主要サプライヤーとして,ZMSHはEpi準備のガリウムアルセニド (GaAs) ウェーファー基板の製造に特化した.
半導体型 N型 C型 P型ウエフラーなど 様々な種類が提供されています
シリコンドーピングされたまたは亜鉛ドーピングされたウエーファーには,レジスティビティ範囲は (0.001~0.009) オム・センチメートル,炭素ドーピングされたウエーファーには, ≥ 1 × 10 ^ 7 オーム・cm の抵抗性がある.
私たちのGaAsウエファは,2°,6°,または15°オフの (100) オリエンテーションの許容量を持つ (100) と (111) の結晶の方向性で利用できます.
私たちのGaAsウエフルのエッチピット密度 (EPD) は,LEDアプリケーションでは典型的には<5000/cm2で,レーザーダイオード (LD) やマイクロ電子機器では<500/cm2です.
GaAsレーザーエピタキシアル・ウェーバーの詳細
| パラメータ | VCSEL | PD |
| 税率 | 25G/50G | 10G/25G/50G |
| 波長 | 850nm | / |
| サイズ | 4インチ/6インチ | 3インチ/4インチ/6インチ |
| 穴位モード 許容性 | ±3%以内 | |
| 洞窟モード 均一性 | ≤1% | |
| ドーピングレベル | ±30%以内 | |
| ドーピングレベル 均一性 | ≤10% | |
| PL 波長均一性 | 2nm @内側140mmより良い | |
| 厚さの均一性 | ±3% @内側140mm より良い | |
| モル分数 × 許容量 | ±0 圏内03 | |
| モル分数 × 均一性 | ≤0.03 | |
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よくある質問
1Q: 他のウエファーと比較して,高アスレーザーエピタキシアルウエファのコストはどうですか?
A:ガアスレーザーエピタキシアルウエフは,シリコンウエファーや他の半導体材料よりも高価です.
2(Q) 未来見通しは?レーザー上位軸ウェーファー?
A:ガアスレーザーエピタキシアルウエフの将来見通しは 十分有望です