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4Inch GaAsのウエファーのガリウム砒素の基質DSP
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GaAsのウエファー
ガリウム砒素（GaAs）は光電子工学およびマイクロエレクトロニクスの分野Ⅲで広く利用されている成長した- Ⅴの化合物半導体材料である、および重要の1つ。ガリウム砒素材料は2つの部門に主に分けられる:半絶縁されたガリウム砒素材料および半導体のガリウム砒素材料。半絶縁されたガリウム砒素材料が主にMESFET、HEMTおよびHBTの構造が付いている集積回路を作り出すのに使用されている。レーダーで主に、マイクロウェーブおよびミリ波通信、超高度の速度コンピュータおよび光ファイバーコミュニケーションおよび他の分野使用されて。半導体のガリウム砒素材料は半導体のレーザー（LD）、半導体の発光ダイオード（LED）、near-infraredレーザー、よの量の強力なレーザーおよび高性能の太陽電池で主に使用される。
| タイプ/添加物の导电类型/掺杂元素 | 半絶縁される | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| 適用应用 | マイクロEletronic | LED | 半導体レーザー | |
| 成長方法长晶方式 | VGF | |||
| 直径の直径 | 2"、3"、4"、6つ | |||
| オリエンテーションの晶向 | （100） ±0.5° | |||
| 厚さの厚度（µm） | 350-625um±25um | |||
| OF/IFの参考边 | 米国EJかノッチ | |||
| キャリア集中の载流子浓度 | - | （0.5-5） *1019 | （0.4-4） *1018 | （0.4-0.25） *1018 |
| 抵抗の电阻率（オームcm） | >107 | （1.2-9.9） *10-3 | （1.2-9.9） *10-3 | （1.2-9.9） *10-3 |
| 移動性の电子迁移率（cm2/V.S.） | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 腐食ピッチ密度の位错密度（/cm2） | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTVの平整度[P/P] （µm） | <5> | |||
| TTVの平整度[P/E] （µm） | <10> | |||
| ゆがみの翘曲度（µm） | <10> | |||
| 表面の終了する表面加工 | P/E P/P E/E | |||
私達のZMKJについて
Q:MOQは何であるか。
（1）目録のための、MOQは5pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcs-30pcsである。
Q:材料のための点検報告があるか。
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