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8 年
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32inch InAsのウエファーのNタイプのun-dopedタイプGaAsのウエファーのGaSbのウエファー
適用
基質材料としてInAsの単結晶がInAsSb/InAsPSb、InNAsSbおよび他のヘテロ接合材料を育てるのに使用することができ生産の波長は2~14のμ Mの赤外線発光装置である。InAsの単結晶の基質はまたAlGaSbの超格子の構造材料のエピタキシアル成長、および中間赤外線量の滝のレーザーの生産に使用することができる。これらの赤外線装置にガスの検出および低損失の光ファイバーコミュニケーションの分野でよい適用見通しがある。さらに、InAsの単結晶に高い電子移動度があり、ホール装置のための理想的な材料である。
製品特性
●水晶は成長した技術および安定した電気性能のCzochralski液体密封された（LEC）の技術によって育つ
●X線のオリエンテーションの器械は精密なオリエンテーションのために使用され、水晶オリエンテーションの偏差は± 0.5のºだけである
●ウエファーは化学機械磨く（CMP）技術によって磨かれ、表面の粗さは0.5nmよりより少しである
●満たしなさい「箱」からの使用条件をの
●特別な指定プロダクトはユーザーの要求に従って処理することができる
ウエファーの指定の細部
| 電気変数 | ||||
| 添加物 | タイプ |
キャリア集中 （cm3） |
移動性 （cm2V-1s-1） |
転位密度 （cm-2） |
| Un-doped | nタイプ | <5x1016 | ≥2x104 | ≤50000 |
| Sn添加される | nタイプ | （5-20） x1017 | >2000 | ≤50000 |
| S添加される | nタイプ | （3-80） x1017 | >2000 | ≤50000 |
| Zn添加される | Pタイプ | （3-80） x1017 | 60~300 | ≤50000 |
| サイズ | 2" | 3" |
| 直径（mm） | 50.5±0.5 | 76.2±0.5 |
| 厚さ（um） | 500±25 | 600±25 |
| オリエンテーション | （100）/（111） | （100）/（111） |
| オリエンテーションのtolerane | ±0.5º | ±0.5º |
| の長さ（mm） | 16±2 | 22±2 |
| 長さ（mm）の2st | 8±1 | 11±1 |
| TTV （um） | <10 | <10 |
| 曲げなさい（um） | <10 | <10 |
| 歪めなさい（um） | <15 | <15 |
insbのウエファーでより興味深ければInAsのウエファーのInSbのウエファーINPウエファーGaAsのウエファーのGaSbのウエファーのギャップのウエファーは私達に、電子メールを送る
ZMSHは、半導体ウエハーの製造者のような、SiC、GaN、III-Vのグループの混合物および等の半導体の基質そしてエピタキシアル ウエファーを提供する。