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SiCの基質

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 SiCの基質
China 高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質 for sale

高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

6inch sicの基質、4h-n、4H-SEMIのsicのインゴットsicの水晶インゴットsicのクリスタル・ブロックsicの半導体の基質、高い純度の炭化ケイ素 SiCのウエファー SiCの水晶は切れにcutted、磨いて、SiCのウエファーは来る。指定および細部については......
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China 2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費 for sale

2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費

2インチ6H-半シシク・ウェーバー,カスタマイズされたシシク基板,2インチ6H-Nシシク・ウェーバー,シシク・クリスタル・インゴット,シリコン・カービッド・ウェーバー この2インチ6H半隔熱シリコンカービッド (SiC) ウェファーは,特に検出器で低電力消費を必要とするアプリケーションのために設.....
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China 4H-SEMIは装置材料のためのSicのウエファー レンズ2INCH 3INCH 4INCH 9.0の硬度を磨いた for sale

4H-SEMIは装置材料のためのSicのウエファー レンズ2INCH 3INCH 4INCH 9.0の硬度を磨いた

6inch sicの基質、sicのインゴット、sicの水晶インゴット、sicのクリスタル・ブロック、sicの半導体の基質、6inch炭化ケイ素のウエファー、4H-semi SiCのウエファー、テストのための6inch 4H-Nのタイプ模造の等級sicのウエファー、 1. 記述......
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China 半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級 for sale

半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級

4inch dia100m 4H-Nのタイプ生産の等級の模造の等級SiCの基質、半導体デバイスのための炭化ケイ素の基質、 アプリケーション領域 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオード、 JFET、BJT、PiNのダイオード、IGBT、MOS......
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China 4inch Sicのインゴット炭化ケイ素半導体のための5 - 15mmの厚さ for sale

4inch Sicのインゴット炭化ケイ素半導体のための5 - 15mmの厚さ

炭化ケイ素のsicによって壊されるブロック、宝石の等級sicのインゴット、5-15mmの厚さsicのスクラップ SiCのウエファーの特徴 特性 4H SiCの単結晶 6H SiCの単結晶 格子変数 a=3.076 Å c=10......
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China 模造の生産の研究の等級の炭化ケイ素高い純度4h-semiは透明なsicのウエファーを非添加しました for sale

模造の生産の研究の等級の炭化ケイ素高い純度4h-semiは透明なsicのウエファーを非添加しました

4H高い純度の半絶縁の炭化ケイ素のSubstrateshigh純度4inch SiCの基質、半導体4inch SiCの基質のための4inch炭化ケイ素の基質、semconductorのための炭化ケイ素の基質、sicの単結晶のウエファー、宝石のためのsicのインゴット SiCの水晶について......
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China 高く熱のカスタマイズされたサイズの正方形Sicの破片の低い格子不適当な組み合わせ for sale

高く熱のカスタマイズされたサイズの正方形Sicの破片の低い格子不適当な組み合わせ

10x10mm 5x5mmは正方形sicの基質、1inch sicのウエファー、sicの水晶破片、sicの半導体の基質、6H-N SICのウエファー、高い純度の炭化ケイ素のウエファーをカスタマイズしました------------------------------------------------...
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China 4H-Nパワー エレクトロニクスのためのようにカットの炭化ケイ素のウエファー0.5mmの厚さ for sale

4H-Nパワー エレクトロニクスのためのようにカットの炭化ケイ素のウエファー0.5mmの厚さ

6inch sicの基質、sicのインゴットsicの水晶インゴットsicのクリスタル・ブロックsicの半導体の基質2inch 3inch 4inch 6inch 4h添加されたウエファー無し 私達は電子および光電子工学の企業に提供します良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）をできま......
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China 3インチの炭化ケイ素のウエファー、Sicの基質の優秀で一時的な特徴 for sale

3インチの炭化ケイ素のウエファー、Sicの基質の優秀で一時的な特徴

3inch sicのウエファー、4H高い純度の炭化ケイ素の基質、高い純度4inch SiCの基質、半導体のための4inch炭化ケイ素の基質、4inch SiCの基質、semconductorのための炭化ケイ素の基質、sicの単結晶のウエファー、宝石のためのsicのインゴット アプリケーション......
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China 半絶縁の炭化ケイ素の基質、Sicのウエファー4Hの高い純度 for sale

半絶縁の炭化ケイ素の基質、Sicのウエファー4Hの高い純度

4H高い純度の半絶縁の炭化ケイ素のSubstrateshigh純度4inch SiCの基質、半導体4inch SiCの基質のための4inch炭化ケイ素の基質、semconductorのための炭化ケイ素の基質、sicの単結晶のウエファー、宝石のためのsicのインゴット SiCの水晶基質およびウ......
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