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3inch sicのウエファー、4H高い純度の炭化ケイ素の基質、高い純度4inch SiCの基質、半導体のための4inch炭化ケイ素の基質、4inch SiCの基質、semconductorのための炭化ケイ素の基質、sicの単結晶のウエファー、宝石のためのsicのインゴット
アプリケーション領域
高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー1つのダイオード、JFET、BJT、PiNのダイオード、IGBT、MOSFET
2つの光電子工学装置:GaN/SiC青いLEDの基質材料（GaN/SiC）で主にLED使用されて
advantagement
•低い格子不適当な組み合わせ
•高い熱伝導性
•低い電力の消費
•優秀で一時的な特徴
•高いバンド ギャップ
炭化ケイ素SiCの水晶基質のウエファーのカーボランダム
炭化ケイ素の物質的な特性
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し ne = 2.66 |
= 2.60無し ne = 2.65 |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| 熱伝導性（半絶縁） |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
2. 標準の基質のサイズ
| 3インチ（直径）の4H炭化ケイ素の基質の指定 | ||||
| 基質の特性 | 超等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 |
| 直径 | 76.2 mm ±0.38 mm | |||
| 表面のオリエンテーション | オン軸線:{0001の} ± 0.2°;以外軸線:4°toward <11-20> ± 0.5° | |||
| 第一次平らなオリエンテーション | <11-20> ± 5.0の̊ | |||
| 二次平らなオリエンテーション | 第一次± 5.0の̊、上向きケイ素からの90.0 ̊ CW | |||
| 第一次平らな長さ | ± 22.0 mmの2.0 mm | |||
| 二次平らな長さ | ± 11.0 mmの1.5mm | |||
| ウエファーの端 | 小さな溝 | |||
| Micropipe密度 | ≤1 micropipes/のcm2 | ≤5 micropipes/のcm2 | ≤10 micropipes/のcm2 | ≤50 micropipes/のcm2 |
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも割り当てませんでした | ≤10%区域 | ||
| 抵抗 | 0.015 Ω·cm~0.028 Ω·cm | （区域75%） 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm | ||
| 厚さ | 350.0 μmの± 25.0のμmまたは500.0 μmの± 25.0のμm | |||
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ||
| 弓（絶対値） | ≤15 μm | ≤25 μm | ||
| ゆがみ | ≤35 μm | |||
FAQ:
Q:船積みおよび費用および支払言葉の方法は何ですか。
A:（1）私達DHL、Federal Express、EMS等によってaccept100% T/T先立って。
（2）あなた自身の明白な記述があれば、大きいです。そうでなかったら、私達はそれらを出荷するのを助けることができます。
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A:（1）目録のための、MOQは2pcsです。
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A:はい、私達は材料、指定および形のあなたの必要性に基づいてサイズをカスタマイズしてもいいです。
Q:受渡し時間は何ですか。
A:（1）標準的なプロダクトのために
目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後あります。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序を置いた3週後2またはです。
（2）特別型プロダクトのための、配達は順序を置いた後4週労働日数です。