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6inch sicの基質、sicのインゴットsicの水晶インゴットsicのクリスタル・ブロックsicの半導体の基質2inch 3inch 4inch 6inch 4h添加されたウエファー無し
私達は電子および光電子工学の企業に提供します良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）をできます。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適しています。SiCのウエファーは直径2 -6inchでNタイプ、窒素および半絶縁のタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができます。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡して下さい。
1.material適用およびadvantagement
適用:
•GaNのエピタクシー装置
•光電子工学装置
•高周波装置
•高い発電装置
•高温装置
•発光ダイオード
•低い格子不適当な組み合わせ
•高い熱伝導性
•低い電力の消費
•優秀で一時的な特徴
•高いバンド ギャップ
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炭化ケイ素の物質的な特性
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Polytype
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単結晶4H
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単結晶6H
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格子変数
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a=3.076 Å
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a=3.073 Å
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c=10.053 Å
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c=15.117 Å
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順序の積み重ね
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ABCB
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ABCACB
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バンド ギャップ
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3.26 eV
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3.03 eV
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密度
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3.21·103 kg/m3
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3.21·103 kg/m3
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Therm。拡張係数
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4-5×10-6/K
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4-5×10-6/K
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屈折の索引
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= 2.719無し
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= 2.707無し
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ne = 2.777
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ne = 2.755
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比誘電率
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9.6
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9.66
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熱伝導性
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490 W/mK
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490 W/mK
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故障の電場
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2 – 4·108 V/m
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2 – 4·108 V/m
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飽和漂流速度
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2.0·105 m/s
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2.0·105 m/s
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電子移動度
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800 cm2/V·S
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400 cm2/V·S
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正孔移動度
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115 cm2/V·S
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90 cm2/V·S
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Mohsの硬度
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~9
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FAQ:
Q:あなたのMOQおよび受渡し時間は何ですか。
A:（1）目録のための、MOQは3pcsです。5-10pcsがそれ10-30daysでよりよければ
（2） 6inchのためにプロダクトを、MOQです30-50daysの10pcsカスタマイズしました
Q:船積みおよび費用の方法は何ですか。
A:（1）私達はDHL、Federal Express、EMS等を受け入れます。
（2）それはない、私達がそれらを出荷するのを助けることができれば、貨物が実際の解決に従ってあればうまくあなた自身の明白な記述があればです。
Q:支払う方法か。
A:T/T 100%
Q:標準的なプロダクトがありますか。
A:6inchが在庫の私達の標準的なプロダクトありません。
しかし基質4inch 0.33mmの2sp厚さのようにように在庫でいくつかを持って下さい
