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Guangzhou Topfast Technology Co., Ltd.
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Guangzhou Topfast Technology Co., Ltd.
シティ:
guangzhou
省/州:
guangdong
国/地域:
china
連絡窓口:
MsZhang
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分離した半導体デバイス
IRFB4310PBF 100V 130A FETHEXFETパワーMOSFETIRFB7440PBF 40V 120A
製品の説明 IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104AのトランジスターTO-220AB HEXFET FETsのMOSFETs 穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したトラ......
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TO-263-4分離した半導体デバイスの電子部品CSD19536KTT
TO-263-4分離した半導体デバイスの電子部品CSD19536KTT 速い細部 型式番号: CSD19536KTT タイプ: 集積回路 原産地: 広東省、中国 銘柄: すべて 記述: 分離した半導体製品......
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IRF1404ZPBFNチャネルトランジスタ180A200W HEXFET FET MOSFET
製品の説明IRF1404ZPBF Nチャネルのトランジスター180A 200W HEXFET FET MOSFET 穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したIRF1404ZPBFのトランジスターN-Channel 180A 200W N-Channel 180A (穴TO-...
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Nチャネルのトランジスター分離した半導体デバイスSIHF10N40D-E3力のMosfets
プロダクト技術仕様 Nチャネルのトランジスター分離した半導体SIHF10N40D-E3力のMosfets EU RoHS 迎合的 ECCN (米国) EAR99 部分の状態 活動的......
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BTS282Z E3230 TO220-7 NチャネルMOSFET 49V 80AのトランジスターFETs
製品の説明 BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。 部品を保障するため......
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両極分離した半導体デバイスTIP122 TIP127 TIP142P NPN PNPのトランジスター
製品の説明 TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 補足NPN - PNPのトランジスター両極分離した半導体製品 補足力トランジスター 記述: 装置は「基礎島」のレイアウトとの平面の技術で製造される。非常に低い飽和電圧とつながれる生......
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D15XB100電磁調理器ブリッジ整流器15A1000V SIP4
プロダクト技術仕様 D15XB100電磁調理器橋整流器15A 1000V SIP4 部品番号 D15X100 基礎部品番号 D15XB100 EU RoHS 免除と迎合的......
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H30R1602力の分離した半導体デバイスIHW30N160R2 IGBTのトランジスター
製品の説明 IHW30N160R2 IGBTsのトランジスターH30R1602柔らかい切換えシリーズ力の半導体IC IHW30N160R2FKSA1の柔らかい切換えシリーズ 適用:•誘導の調理•柔らかい転換の適用 記述:TrenchStop®の逆単一ボディ ダイオードとの行なう(RC-) IGBT特...
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Infineon HEXFET力MOSFET Nチャネル55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
製品の説明 Infineon HEXFET力MOSFET Nチャネル55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBFインフィニオン・テクノロジーズ/国際的な整流器IOR HEXFET MOSFETのN-Channel 55V 30A DPAKの分離した半導......
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PBHV8540Xの分離した半導体デバイスPBHV8540 Nexperia両極BJTのトランジスター
製品の説明 PBHV8540X PBHV8540 Nexperia両極BJTのトランジスター分離した半導体 PBHV8540X PBHV8540 Nexperiaの両極(BJT)トランジスター500V 0.5 NPN NPN高圧低いVCEsat (BISS)のトランジスター 分離し......
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