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H30R1602力の分離した半導体デバイスIHW30N160R2 IGBTのトランジスター

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シティ:guangzhou
省/州:guangdong
国/地域:china
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H30R1602力の分離した半導体デバイスIHW30N160R2 IGBTのトランジスター

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型式番号 :IHW30N160R2FKSA1
最低順序量 :1部分
支払の言葉 :T/T
受渡し時間 :2~8仕事日
ブランド :インフィニオン・テクノロジーズ/国際的な整流器IOR
証明書 :/
モデル :IHW30N160R2FKSA1
MOQ :1 PC
配達 :2~8仕事日
支払 :T/T
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製品の説明

 

IHW30N160R2 IGBTsのトランジスターH30R1602柔らかい切換えシリーズ力の半導体IC IHW30N160R2FKSA1の柔らかい切換えシリーズ

 

適用:
•誘導の調理
•柔らかい転換の適用

 

記述:

TrenchStop®の逆単一ボディ ダイオードとの行なう(RC-) IGBT
特徴:
•非常に低い前方電圧の強力な単一ボディ ダイオード
•ボディ ダイオードは否定的な電圧を締め金で止める
•1600のVの適用提供のための堀およびFieldstopの技術:
- 非常に堅い変数配分
- 高い険しさ、温度の安定した行動
•NPTの技術は原因で容易な平行の転換の機能を提供する
VCEの肯定的な温度係数(坐った)
•低いEMI
•JEDEC1に従って修飾される
ターゲット塗布のため
•Pbなしの鉛のめっき;迎合的なRoHS

 

指定:IGBT NPTの穴PG-TO247-3-1を通した堀の視野絞り1600 V 60 A 312 W

部品番号IHW30N160R2
部門
分離した半導体製品
 
単一トランジスター- IGBTs -
シリーズ
TrenchStop®
パッケージ
IGBTのタイプ
NPTの堀の視野絞り
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)
1600ボルト
現在-コレクター((最高) IC)
60 A
現在-脈打つコレクター(Icm)
90 A
Vce () (最高) @ Vge、IC
2.1V @ 15V、30A
パワー最高
312 W
転換エネルギー
4.37mJ
入れられたタイプ
標準
ゲート充満
94 NC
Td (オン/オフ) @ 25°C
-/525ns
テスト条件
600V、30A、10Ohm、15V
実用温度
-40°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け
穴を通して
パッケージ/場合
TO-247-3
製造者装置パッケージ
PG-TO247-3-1
 
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