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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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China 高い現在のMosfet力トランジスター二重Nタイプ高性能 for sale

高い現在のMosfet力トランジスター二重Nタイプ高性能

HXY4812 0Vの二重N-Channel MOSFET 概説 HXY4812は高度の堀の技術をに使用する 優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供しなさい。これ 装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適している 適用。 プロダクト概要......
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China 6.5A 30V Mosfet力トランジスター二重N-Channelの連続的な下水管の流れ for sale

6.5A 30V Mosfet力トランジスター二重N-Channelの連続的な下水管の流れ

HXY4812 30Vの二重N-Channel MOSFET 概説 HXY4822Aは高度の堀の技術をに使用する 優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供しなさい。これ 装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適している 適用。 プロダクト概要......
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China HXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重Nのチャネル for sale

HXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重Nのチャネル

HXY9926A 20Vの二重N-Channel MOSFET 概説 HXY9926Aは高度の堀の技術をに使用する 優秀なRDS （）、低いゲート充満および操作を提供しなさい 1.8V低いゲートの電圧を使って12Vを保っている間 VGS （MAX）の評価。この装置は単方向......
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China RoHSはMOSFETS NチャネルMosfet力トランジスターSOT-23-6L 6.0 VDSS二倍になる for sale

RoHSはMOSFETS NチャネルMosfet力トランジスターSOT-23-6L 6.0 VDSS二倍になる

8205A SOT-23-6LはMOSFETSの二重N-Channel MOSFETをプラスチック内部に閉じ込める 概説 VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1
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China 8H02ETSは低いゲート充満NチャネルMosfet力トランジスター20V二倍になる for sale

8H02ETSは低いゲート充満NチャネルMosfet力トランジスター20V二倍になる

20V N+Nチャネルの強化モードMOSFET 記述 8H02ETSusesは堀の技術をに進めた 優秀なRDS （）、低いゲート充満を提供しなさい 2.5V低いゲートの電圧の操作。 概要の特徴 VDS = 20V、ID = 7A 8H02TS RDS （）......
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China トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者 for sale

トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお......
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China 200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出 for sale

200vケイ素力トランジスター高い現在のトランジスター低い漏出

MMBD1501Aの低い漏出ダイオードSOT-23はダイオードをプラスチック内部に閉じ込める 特徴 の低い漏出 の高い導電率 印:A11 最高の評価（通知がなければTa=25℃） 電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ......
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China 600mAケイ素力トランジスターNPN力トランジスター高い流れ for sale

600mAケイ素力トランジスターNPN力トランジスター高い流れ

SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めるトランジスターA42トランジスター（NPN）を 特徴 低いCollector-Emitterの飽和電圧 高い絶縁破壊電圧 印:D965A 最高の評価（通知がなければTa=25℃） ......
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China 電子部品のためのSGSのケイ素力トランジスター高い発電PNPのトランジスター for sale

電子部品のためのSGSのケイ素力トランジスター高い発電PNPのトランジスター

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めるトランジスター2N5401トランジスター（PNP）を 特徴 高圧のŸの切換えそして拡大 電話のようなŸの適用 Ÿの低い流れ Ÿの高圧 発注情報 部品番号 パッケージ......
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China 高周波Mosの電界効果トランジスタ20A 200Vの極性の保護適用 for sale

高周波Mosの電界効果トランジスタ20A 200Vの極性の保護適用

高周波転換の電源20A 200Vショットキーのバリア・ダイオードHBR20200 TO-220C TO-220HF TO-263のために適した 適用 高周波スイッチ電源のの自由な回転ダイオード、極性の保護適用 特徴 の共通の陰極の構造のの低い電力の損失、高性能のの過電圧の......
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