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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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ホーム / 製品 / MCU Microcontroller Unit / PD57018-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒いRF MOSFETのトランジスター /

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PD57018-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒いRF MOSFETのトランジスター
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製品の詳細
製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si ID連続的な下水管の流れ:2.5 A Vds下水管源の絶縁破壊電圧:65ボルト 抵抗...
製品詳細図 →
商品のタグ：
金属オキシド半導体フィールド効果トランジスタ igbt半導体 rfの半導体

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