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igbt半導体

1 - 20 の結果 igbt半導体 から 59 製品

2~10 μmの金属金属金属合金からできた,IGBT半導体用金属板 1コーティングされたニッケル基板に関する情報: Nickel-plated molybdenum-copper substrate is a metal material that uses a molybdenum-cop.........

Time : Jun,22,2025
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離散半導体 APT25GT120BRG TO-247-3 IGBT トランジスタ 製品説明: Thunderblot IGBT®は,新世代の高電圧電源IGBTです.Non- Punch Through テクノロジーを利用して,Thunderblot IGBT®は優れた頑.........

Time : Dec,09,2024
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IXGH24N170IXYS高電圧IGBTIXGH24 IGBT 1700V 50A 250WTO247ADディスクリート半導体製品 仕様:高電圧IGBT NPT 1700 V 50 A 250WスルーホールTO-247AD 部品番号......

Time : Jul,25,2025
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製品の説明 IXGH24N170 IXYS高圧IGBT IXGH24IGBT1700V50A250WTO247ADの分離した半導体製品 指定:穴TO-247ADを通した高圧IGBT NPT 1700 V 50 A 250 W 部品番号 I......

Time : Dec,09,2024
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新しいモジュールCM400DY-12H IGBTモジュール元の力のIgbtモジュール CM100TU-24Hの高い発電の切換えの使用によって絶縁されるタイプ三菱電機の半導体三菱電機の半導体QM7E2Y-Hの高い発電の切換えの使用によって絶縁されるタイプ三菱電機の半導体CM1000HA-24H.........

Time : May,30,2024
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GD200FFY120C6Sトランジスタ IGBTモジュール 1.2KV 309A半導体 製造者: スターパワー・ヨーロッパ AG 製品カテゴリー: IGBT モジュール RoHS について 詳細 タイプ: IGBT モジュール ブランド: スターパワー 稼働電.........

Time : Jun,27,2025
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650V IGBT パワー半導体,高インプットインペデンス,TO-247パッケージ 製品説明: インバーターIGBTは,コレクター-エミッター電圧が650Vから1200Vまであり,高電圧アプリケーションに理想的な選択となっています.これは,並行操作で優れた電流共有を可能にするIGBTデバイス.........

Time : Mar,31,2025
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自動車IGBTモジュールFP25R12KT4B11BPSA1の分離した半導体IGBTモジュール FP25R12KT4B11BPSA1の製品の説明 FP25R12KT4B11BPSA1はEconoPIM™2 Modul mitの堀/Feldstopp IGBT4のundのエミッター制御した4つD.........

Time : Apr,21,2025
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穴TO-247-3を通したWG50N65DHWQ IGBTの堀の視野絞り650 V 91 A 278 WWeEnの半導体WG50N65DHWQ IGBTWeEnの半導体WG50N65DHWQ IGBTはTO247パッケージのanti-parallelダイオードとの高速650V/50A IGBTで........

Time : Nov,25,2024
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プロダクト リスト:IR2104STRPBF 製品タイプ:半導体ICの破片 パッケージのタイプ:STRPBF 記述:IR2104STRPBFは高圧の、高速力MOSFETであり、独立した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。参照したN-c.........

Time : Nov,30,2024
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Ff300r17ke4 Igbt モジュール 300a 1700v パワー Igbt モジュール 記述 IGBTモジュール/IGBTモジュールFF300R17KE4IGBT モジュール IGBT モジュール 300A 1700V VCES = 1700V IC nom = 300A /.........

Time : Nov,28,2024
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SLIMDIP-S SLIMDIP-Lの在庫の分離した半導体モジュールSLIMDIP S L IGBT IPM 100%の原物 データ用紙 プロダクト ダイオード力モジュール Vf -前方電圧 1.55 5時AのV 様式の取.........

Time : May,30,2024
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製品範囲 IGBT CoolMOSの分離した半導体SPW35N60C3 MOSFET N CH 650V 34.6A TO247-3 Appの特徴 新しい革命的な高圧技術 超低いゲート充満 周期的ななだれは評価した 極度なdv /dtは評価した 超低く有効なキャパ.........

Time : Nov,26,2024
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製品説明: 高電源IGBTは,高電源双極トランジスタの一種,特に隔離ゲート双極トランジスタ (IGBT) の一種である.低導電損失の優れた組み合わせです高いスイッチ周波数,高い信頼性,高い電流密度 ハイパワーIGBTは,電流密度400A/cm2と使用頻度60KHzを有する.また,狭いメッサ設計.........

Time : Dec,26,2024
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ZFeng IGBT モジュール IGBTモジュール (隔離ゲート双極トランジスタモジュール)複数のIGBTチップ,フリーホイリングダイオード (FWD) および関連する駆動/保護回路を統合した電源半導体装置モジュールである.電力電子の変換と制御システムに広く適用されています. 1主要な構成.........

Time : May,27,2025
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A70QS175-4半導体の保護は700V AC 175Aの650V DCのratinを溶かします A70Q Amptrap®の半導体の保護ヒューズは極端に低いI2tを要求するインバーター塗布のために発達しました。A70Qのヒューズは重い積み過ぎを支えるために必要な適用に最も敏感な保護を提供します。......

Time : Nov,20,2020
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DD1000 軸型ICチップ 双極型BJT シングル IGBT モジュール 情報をここで検索します.xlsx 製品属性 タイプ 記述 カテゴリー 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード Mfr ダイオテック半導体 シリーズ - パッケー.........

Time : Nov,29,2024
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製品説明 SC810は,液体洗浄とDI水洗浄と熱気乾燥を使用してリードフレーム,IGBT,IPM,BGA,CSPパッケージフルックスクリーニングのためのコンパクトなインラインスプレークリーニングマシンです. IGBT,IPM,BGA,CSP パッケージ SC810 作業手順: 洗浄前+洗.........

Time : Jun,27,2025
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