ランダムアクセスメモリとは

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B メモリICチップ 16Gbit ダイナミックランダムアクセスメモリIC 製品説明MT3E512M32D1ZW-046 WT:B MT53E512M32D1ZW-046 WT:Bは高速なCMOS動的ランダムアクセスメモリである.内部は16バンク (........

CY7C1079DV33-12BAXI Infineon 技術SRAM 32Mb 3.3V 12ns 4Mx8速いAsync CY7C1079DV33-12BAXI FBGA-48 CY7C1079DV33-12BAXIT 製造業者:Infineon製品タイプ:静的......

AS4C32M16SC-7TINのダイナミックRAM C8051F350-GQ AD7276BRMZの記憶データ記憶 特徴 •速いクロック レート:133のMHz •プログラム可能なモード・レジスタ- CASの潜伏:1か2か3 - BurstLength:1,2,4,8、.........

フル オートAC220Vの食糧X光線は強磁性RAMメモリを機械で造る 熱い販売の機械を選別する強磁性RAMメモリの食糧X線の点検および検出機械X線の雑貨 包まれた商品及びUnpackaged商品のためのX線の検査システム シリーズX線の検査システムは適している点検するビスケット、破片、.........

低い電力のH9HCNNNBPUMLHR NMO 4の生成はデータ転送速度の同期ダイナミックRAMを倍増します プロダクト使用法LPDDRは恐らく間違いなくモバイル機器のための世界的に最も.........

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D IC 電子部品 ダイナミック ランダム アクセス メモリ 製品説明 部品番号MT53D512M32D2DS-053 AIT:Dによって製造されていますミクロンAYE 社が販売し、販売しています。電子製品の大手.........

シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている: 半導体マイクロコントローラートランジスタダイオード.......

RAM DDR4 4G 8G 16G 32G ECC 2133 2400の2666のMhzランダム・アクセス サーバー記憶 証明 北京Guangtian Runzeの技術Co.、株式会社は20，000,000元の登録されていた首都との2012年3月に、確立された。連続的な努力の年後にデルプロダクトお......

製品詳細 機能説明AS7C34098Aは高性能CMOS4です194304ビット静的ランダムアクセスメモリ (SRAM) デバイスは,262,144語 × 16ビットに組織されています.高速なデータアクセス,低電力,シンプルなインターフェースが望まれるメモリアプリケーションのために.........

M29W640FB プログラミング Ic チップ 64 Mbit (8Mb x8 または 4Mb x16、ページ、ブート ブロック) 3V 電源フラッシュ メモリ 機能の概要 • 供給電圧 – VCC= プログラム、消去、読み取りの場合は 2.7.........

FM24CL04B-GTRのフラッシュ・メモリの破片4Kbitは2ワイヤー シリアル・インタフェース連続FRAMのフラッシュ絶食します 記述 FM24CL04Bは高度のferroelectricプロセスを用いる4-Kbit不揮発性メモリです。ferroelectric.........

MT46V16M16P-5B:Mのフラッシュ・メモリは非揮発性記憶装置容量の45バイトを欠く MT46V16M16P-5B:Mのフラッシュ・メモリの破片 記述: MT46V16M16P-5B:Mは高速お.........

SK Hynixの記憶IC SK Hynixの記憶IC集積回路は電子工学の部品を欠く SKのhynix株式会社はダイナミックRAMの破片およびフラッシュ・メモリの破片の韓国の記憶半導体の製造者である。Hynixは世界の二番目に大きい記憶チップメーカーおよび世界で最も第3大きい半導体の会社で.........

FM1608-120 - RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION - 64KBバイト幅FRAMの記憶 速い細部: 64Kbバイト幅FRAMの記憶 記述: FM1608は高度のferroelectricプロセスを用いる64キロビットの不.........

製品: リライアンス・エレクトリック 57C423 オートマックス マルチバスシステム コモン・メモリー モジュール 128K メモリ アメリカ製 製品説明: 属性 記述 ブランド リライアンス・エレクトリック モデル番号 57C423 機能 共通メモリモジュール.........

ICの破片64のMbit （8Mb x8か4Mb x16のページ、ブート ブロック）の3V供給のフラッシュ・メモリをプログラムするM29W640FB 概要を特色にします •供給電圧 – VはCC = 2.7Vへのプログラム、消去のための3.6V、読みました –速いプ.........

256-Kbit （32のKの× 8）の連続（I2C） F-RAM製品の説明FM24W256は高度のferroelectricプロセスを用いる256-Kbit不揮発性メモリである。ferroelectric RAMメモリまたはF-RAMは不揮発性で、読み、書くRAMに類似した行う。それは151年間除......

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製品説明: スマートカードには152KBのEEPROMが搭載されており,さまざまな種類のデータに十分なストレージスペースを提供します. さらに,カードのセキュリティアルゴリズムは真のランダムナンバー生成をサポートします.AIS31-P2 規格に従ってすべての取引と情報交換が安全で保護されているこ........