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ICの破片64のMbit （8Mb x8か4Mb x16のページ、ブート ブロック）の3V供給のフラッシュ・メモリをプログラムするM29W640FB
概要を特色にします
•供給電圧
– VはCC = 2.7Vへのプログラム、消去のための3.6V、読みました
–速いプログラムのためのVPP =12 V （任意）
•非同期読まれる任意/ページ
–ページ幅:4ワード
–ページのアクセス:25ns
–ランダム・アクセス:60ns、70ns
•プログラミングの時間
–典型的なバイト/単語ごとの10のµs
– 4つのWords/8バイト プログラム
•135のメモリ ブロック
– 1つのブート ブロックおよび7つの変数ブロック、8 Kバイトそれぞれ（上か下の位置）
– 127の主要なブロック、64 Kバイトそれぞれ
•プログラム/消去のコントローラー
–埋め込まれたバイト/単語プログラム アルゴリズム
•プログラム/消去は中断し、再開します
–プログラムの間にあらゆるブロックから読まれて中断して下さい
–消去の間に別のブロックを中断します読み、プログラムして下さい
•バイパス プログラム命令の鍵を開けて下さい
–より速い生産/バッチ プログラミング
•V速いプログラムおよび書込禁止のためのPP/WPピン
•ブロックのUnprotection一時的なモード
•共通の抜け目がないインターフェイス
– 64ビットのセキュリティ・コード
•Xmsのブロック
–保証ブロックとして使用される余分ブロックまたはその他の情報を貯えるため
•低い電力の消費
–スタンバイおよび自動スタンバイ
•ブロックごとの100,000のプログラム/消去周期
•電子署名
–製造業者コード:0020h
最高の評価
絶対最高評価のテーブルにリストされている評価の上の装置に重点を置くことは装置への永久的な損害を与えるかもしれません。長期の絶対最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれません。これらは圧力の評価だけであり、これらの装置またはこの指定の作動セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されません。STMicroelectronics確実なプログラムおよび他の関連した質文書をまた参照して下さい。
絶対最高評価
| 記号 | 変数 | 分 | 最高 | 単位 |
| Tバイアス | バイアスの下の温度 | – 50 | 125 | °C |
| TSTG | 保管温度 | -65 | 150 | °C |
| VIO | 入力または出力電圧（1）（2） | – 0.6 | VCC +0.6 | V |
| VCC | 供給電圧 | – 0.6 | 4 | V |
| VID | 同一証明の電圧 | – 0.6 | 13.5 | V |
| VPP （3） | プログラム電圧 | – 0.6 | 13.5 | V |
1. 最低の電圧は転移の間に転移の間にそして20nsよりより少しのためにundershoot – 2Vかもしれないです。
2. 最高の電圧は転移の間にそして転移の間に20nsよりより少しのためにVCC +2Vにオーバーシュートするかもしれません。
3. VPPは80hrsの合計より多くのための12Vに残ってはなりません。
パッケージ
ロジック・ダイヤグラム
TSOPの関係
TFBGA48関係（パッケージを通した平面図）