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AS4C32M16SC-7TINのダイナミックRAM C8051F350-GQ AD7276BRMZの記憶データ記憶
特徴
•速いクロック レート:133のMHz
•プログラム可能なモード・レジスタ- CASの潜伏:1か2か3 - BurstLength:1,2,4,8、または全面-破烈させたタイプ:Sequentialorは入れ込んだ
•自動車は新たになり、自己は新たになる
•8192によってはcycles/64ms （7.8のµs） T≦85°Cが新たになる
•力モード
•単一+3.3V±0.3Vの電源
•実用温度範囲:-産業:TA = -40~85°C
•インターフェイス:LVTTL
•- BA0及びBA1多数の破烈によって制御された肯定的なクロック エッジ4銀行におよびハロゲン自由な十分に同期はバイト制御（x16、x32）任意カラム・アドレスの読み書き制御（x8、x16、x32）データ マスクのために単一と自由なPb読んだ書く操作の自動および管理された前充満命令データ マスクを86/54個のPin 400ミル プラスチックTSOP IIのパッケージ、TSOPII-54 （x8、x16）で利用できるあらゆるCLK （1-N規則） TSOPII-86 （x32）
記述
AS4C16M32SC-7TIN、AS4C32M16SC-7TINおよびAS4C64M8SC-7TINは4つの銀行x 4MBit x32の4つの銀行x 8Mbit X 16および4として組織される4つの銀行同期ドラム銀行x 16MBit x 8MBit X 8それぞれである。これらの同期装置は先取りの多数ビットがシステム クロックにアウトプット データを合わせるチップ アーキテクチャを用いることによってCASの潜伏のための高速データ転送率を達成し。
装置は同期ドラム プロダクトのために、電気でそして機械的に置かれるすべての業界標準に従うように設計されている。制御、住所、データ入力および出力回路すべては外的の肯定的な端と供給した時計を合わせられる
標準的なドラムと可能より作動させているインターリーブ方法の4つの記憶装置をランダム・アクセス操作が高い比率に起こるようにする。順次およびgaplessデータ転送速度は装置の破烈させた長さ、CASの潜伏および速度の等級によって可能である。
自動車によっては（CBRが）新たになり、自己によっては操作が支えられる新たになる。これらの装置は単一の3.3 Vの± 0.3ボルトの電源と作動する。すべての512-Mbit部品はTSOPII- [86/54]パッケージで利用できる。
| 製品カテゴリ: | ドラム |
| SDRAM | |
| SMD/SMT | |
| TSOP-54 | |
| 16ビット | |
| 32のM X 16 | |
| 512 Mbit | |
| 133のMHz | |
| 17 ns | |
| 3.6 V | |
| 3ボルト | |
| 60 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| AS4C32M16SC | |
| 皿 | |
| ブランド: | 同盟の記憶 |
| 敏感な湿気: | はい |
| 製品タイプ: | ドラム |
| 工場パックの量: | 108 |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |