FM24CL04B-GTR 4 - Kbitの非揮発性メモリ、FRAMの連続フラッシュ・メモリ速いI2Cインターフェイス

型式番号:FM24CL04B

原産地:元の工場

最低順序量:10pcs

支払の言葉:T ・ T、西 Union，PAYPAL

供給の能力:100000pcs

受渡し時間:1 - 3日

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シンセンATFUの電子工学の技術株式会社

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Shenzhen Guangdong China

住所：部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031

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製品詳細会社概要

製品詳細

FM24CL04B-GTRのフラッシュ・メモリの破片4Kbitは2ワイヤーシリアル・インタフェース連続FRAMのフラッシュ絶食します

記述

FM24CL04Bは高度のferroelectricプロセスを用いる4-Kbit不揮発性メモリです。ferroelectric RAMメモリかF-RAMは不揮発性で、読み、書きますRAMに類似した行います。それは151年間EEPROMおよび他の不揮発性メモリによって起こされる複雑さ、間接費およびシステムレベルの信頼性問題を除去している間信頼できるデータ保持を提供します。EEPROMとは違って、FM24CL04Bはバス速度で書きます操作を行います。遅れを負われます書かないで下さい。データは記憶配列に各バイトが装置に首尾よく移る直後に書かれています。次のバス周期はデータ投票のための必要性なしで始まることができます。さらに、プロダクトは実質的な物を書きます他の不揮発性メモリと比較される持久力を提供します。また、F-RAMは操作を書きなさいのでEEPROMが内部的に高い電源電圧をのために書く回路を要求しないより大いに低い電力をの間に書きます表わします。FM24CL04Bは1014の読み書き周期を支えることができます、または100，000,000倍もっとEEPROMより周期を書きます。これらの機能は不揮発性メモリの適用のためのFM24CL04Bの要求理想、頻繁な要求をを作りますまたは急速書きます。例はデータロギングからの数が周期を長いのEEPROMの時をデータ損失を引き起こすことができる書く産業制御の要求に重大、かもしれないどこに書くか、及びます。特徴の組合せはシステムのためのより少ない間接費のより頻繁なデータ執筆を可能にします。FM24CL04Bは連続（I2C） EEPROMのユーザーに取り替え低下のハードウェアとして相当な利点を提供します。装置指定は+85 C.に– 40 Cの産業温度較差に保証されます。

特徴
■ 4-Kbitのferroelectric RAMメモリ（F-RAM）論理的に
8 512 ×として組織される
読まれる❐の高持久力100兆は（1014）/書きます
❐ 151年データ保持（データ保持および持久力を見て下さい
ページ10）
❐ NoDelay™は書きます
❐の高度の高信頼性のferroelectricプロセス
■の速い2ワイヤーシリアル・インタフェース（I2C）
1 MHz頻度までの❐
❐連続（I2C） EEPROMのための直接ハードウェア取り替え
❐は100つのkHzおよび400のkHzのための遺産のタイミングを支えます
■の低い電力の消費
100つのkHzの❐ 100のAの活動的な流れ
❐ 3のA （typ）のスタンバイの流れ
■の電圧操作:VDD = 2.7ボルトから3.65ボルト
■の産業温度:– 40Cから+85C
■ 8ピン小さい輪郭の集積回路の(SOIC)のパッケージ
迎合的な危険な物質(RoHS)の■の制限