MT46V16M16P-5B:Mのフラッシュ・メモリは非揮発性記憶装置容量の45バイトを欠く
型式番号:MT46V16M16P-5B:M
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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MT46V16M16P-5B:Mのフラッシュ・メモリは非揮発性記憶装置容量の45バイトを欠く
MT46V16M16P-5B:Mのフラッシュ・メモリの破片
記述:
MT46V16M16P-5B:Mは高速および低い電力の倍のデータ転送速度（DDR）の同期ダイナミックRAM
（SDRAM）装置である。それは16のMeg Xの8つの銀行として組織される16 Meg x
16のかまれたメモリ素子、記憶装置8ビットである。5.0V供給を作動させることを設計し、速く、低い電力CMOSプロセスを使用して製造される。
特徴:
•1.8V ± 0.1Vの電源
•2.5V ± 0.1V入力/出力の供給
•5.0V ± 0.2Vの電源
•16 meg Xの16かまれた構成
•16のmeg Xの8つの銀行8ビット
•8ビット データ・バス
•プログラム可能な破烈させた長さ
•プログラム可能なCASの潜伏
•プログラム可能自動新たにしなさい
•プログラム可能な出力ドライブ強さ
•JEDEC標準的なSDRAMは命じる
•データは読込み操作を書き、
•高速アクセスの時間:5ns （分）
•低い電力の消費
•パッケージ:64ピンTSOP II
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