トランジスタ構造

MMBT3904T SOT-523 3 Pin SMDのトランジスター 3 Pin SMDのトランジスターMMBT3904T SOT 523のエピタキシアル平面は構造死ぬ MMBT3904T SOT-523 Datasheet.pdf 特徴 補足のタイプはPNPのトランジスターMMBT3906推薦さ......

PはNのタイプ トランジスター、19P03 D-U-V高圧力Mosfetを運びます Nはトランジスター紹介をタイプします 力MOSFETは金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタの特別なタイプです。特に高レベル力を扱うことを設計します。力MOSFET'SはV構成で組み立てられます。従っ.........

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

MJE340GプラスチックMedium-Power NPNのケイ素のトランジスター0.5A力トランジスター300V 20W 特徴 •TransformerlessのLine−Operated装置のために適した •Thermopadの構造は高い信頼性に高い発電の消滅の評価を提供する.........

MMBT3904 NPN小信号表面実装トランジスタ 特徴 •エピタキシャルプレーナ型構造 •相補型PNPタイプ（MMBT3906） •中電力増幅およびスイッチングに最適 •鉛フリー/ RoHS準拠（注2） •高信頼性のためのAEC-Q101規格に適合 機械データ.........

YTR24D3MH日立のトランジスター出力モジュール ⇒はよい価格YTR24D3MHのためにここにかちりと鳴る ブランド/製造業者 日立/USA 部品番号 YTR24D3MH 互い違いの部品番号.........

IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS.........

穴TO-247-4Lを通したFGH4L40T120LQD IGBTの堀の視野絞り1200 V 80 A 306 Wonsemi FGH4L40T120LQD IGBT onsemi FGH4L40T120LQD IGBTは要求の転換の適用の優秀な性能を提供する強い超視野絞りの堀の構造である。こ.........

航空部品MJ11033Gダーリントンのトランジスター エミッターの基礎電圧5 V 航空部品の記述: High−Currentの補足のケイ素力トランジスターは補足の一般目的のアンプの塗布の出力装置として使用のためである。 航空部品の特徴: •高いDCの現在の利益−のhFE = 1000 （.........

MJE340G プラスチック 中等電源 NPN シリコントランジスタ 0.5A 電源トランジスタ 300V 20W 特徴 • トランスフォーマーなしの線路操作装置に適しています • サーモパッド 建設により高い信頼性のための高出力分散率 • これらのデバイスは,Pb−フリーで,RoHS準拠.........

製品説明: シリコンカービッドMOSFETは,金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) とも呼ばれる.幅広い用途で使用される高効率の電子部品ソーラーインバーター,高電圧DC/DCコンバーター,モータードライバ,UPS電源,スイッチ電源,充電電池を含む. N型シリコンカービッド構造を備え........

DCX114YU-7-Fの前偏りのある両極トランジスターBJT 50V 100mA 250MHz 200mW特徴のエピタキシアル平面は構造死ぬの作り付けの偏る抵抗器の自動化されたアセンブリに適する表面の台紙のパッケージ無鉛迎合的な全く及び十分にRoHS ハロゲンおよびアンチモンなし。「緑の......

IGBTの堀の視野絞り80A FGHL75T65MQDTL4のトランジスターTO-247-4パッケージ FGHL75T65MQDTL4の製品の説明 FGHL75T65MQDTL4は強く、cost−effective視野絞りの堀の構造を超特色にし、要求の転換の適用の優秀な性能、低いon−stat.........

MMDT4401 ダブルNPN小型信号表面マウントトランジスタ 特徴 1表面積の平面型構造 2低電力増幅とスイッチングに最適です 3超小面積のマウントパッケージ メカニカルデータ 1ケース:SOT-363 鋳造プラスチック 2ターミナル:MIL-STD-202,メ.........

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NVMFS5C646NLWFAFT1G MOSFET パワー エレクトロニクス 製品説明： NVMFS5C646NLWFAFT1G は、優れた電力効率と信頼性を実現するように設計された高性能 MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。この N チャネル.........

熱い販売のすくい水晶Oscillato 27.000MHzr 2ピン 10ppm JU3*8 プロダクト塗布 デジタル プロダクトのため 監視カメラ 製品の機能 無鉛のタイプ。自動土台。険しいカットの水晶構造はんだの退潮のために適した。 .........

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